IRF233 Folha de dados(PDF) - Samsung semiconductor

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IRF233 Folha de dados (PDF) - Samsung semiconductor

IRF233 Datasheet PDF - Samsung semiconductor


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IRF233 Detalhes do produto

FEATURES
• Low RDS(on)
• Improved inductive ruggedness
• Fsat switching times
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Low input capacitance
• Extended safe operating area
• Improved high temperature reliability
• TO-3 package (Standard)

Nº de peça semelhante - IRF233

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Fairchild Semiconductor	IRF233	177Kb / 6P	N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V
Intersil Corporation	IRF233	69Kb / 7P	8.0A and 9.0A, 150V and 200V, 0.4 and 0.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs October 1997
New Jersey Semi-Conduct...	IRF233	106Kb / 3P	N-Channel Power MOSFETs, 12 A, 150-200 V
New Jersey Semi-Conduct...	IRF233	106Kb / 3P	N-Channel Power MOSFETs, 12 A, 150-200 V
Inchange Semiconductor ...	IRF233	48Kb / 2P	High Power,High Speed Applications

Descrição semelhante - IRF233

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Samsung semiconductor	IRF130	211Kb / 5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
	IRF140	211Kb / 5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
	IRF530	354Kb / 6P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
	IRFP250	518Kb / 7P	N-Channel Power Mosfets
	SSH5N90	264Kb / 5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
	SSS7N60	280Kb / 5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
	IRFZ45	197Kb / 5P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
New Jersey Semi-Conduct...	IRF440	137Kb / 3P	N-CHANNEL POWER MOSFETS
New Jersey Semi-Conduct...	2N6769	89Kb / 2P	N-Channel Power MOSFETs,
ARTSCHIP ELECTRONICS CO...	IRF340	345Kb / 5P	N-Channel Power MOSFETs

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