RF2145PCBA Folha de dados(PDF) - RF Micro Devices

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RF2145PCBA Folha de dados (PDF) - RF Micro Devices

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DCS1800/1900 POWER AMPLIFIER

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RF2145PCBA Detalhes do produto

Product Description
The RF2145 is a high power, high efficiency amplifier IC. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) process, and has been designed for use as the final RF amplifier in a 4-cell DCS1800 or DCS1900 handset. The device is packaged in a 16-lead plastic package with wide ground leads, and is self-contained with the exception of the output matching network and power supply feed line. Only a single positive voltage is required to operate with full power and efficiency, and on-board power control and power-down functions are provided.

Features
• Single 4.8V Power Supply
• +32dBm Output Power
• 28dB Small Signal Gain
• 55% Power Added Efficiency
• Power Control
• 1700MHz to 1900MHz Frequency Range

Typical Applications
• 4.8V DCS1800/1900 Handsets
• 3V DECT Handsets and Base Stations
• Commercial and Consumer Systems
• Portable Battery Powered Equipment

Nº de peça semelhante - RF2145PCBA

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
RF Micro Devices	RF2140	176Kb / 12P	3V DCS POWER AMPLIFIER
	RF2140PCBA	176Kb / 12P	3V DCS POWER AMPLIFIER
	RF2146	129Kb / 8P	PCS LINEAR POWER AMPLIFIER
	RF2146PCBA	129Kb / 8P	PCS LINEAR POWER AMPLIFIER

Descrição semelhante - RF2145PCBA

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Mitsubishi Electric Sem...	MA1078-2	23Kb / 1P	For DCS1800 - 20W Power Amplifier
Mitsubishi Electric Sem...	MA1100-1	23Kb / 1P	For DCS1800 - 30W Power Amplifier
Motorola, Inc	MRFIC1817	232Kb / 8P	1700-1900 MHz MMIC DCS1800/PCS1900 INTEGRATED POWER AMPLIFIER GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT
Motorola, Inc	MRFIC1818	216Kb / 8P	1700-1900 MHz MMIC DCS1800/PCS1900 INTEGRATED POWER AMPLIFIER GaAs MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT
Renesas Technology Corp	E2081606_PF08127B	183Kb / 16P	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone
Renesas Technology Corp	PF08134B	123Kb / 14P	MOS FET Power Amplifier Module for GSM850 and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone
Skyworks Solutions Inc.	AP119-89	35Kb / 4P	GaAs IC DCS 1800/1900 Power Amplifier
Skyworks Solutions Inc.	RM009	296Kb / 17P	Power Amplifier Module for Dual-band GSM900 DCS1800
Renesas Technology Corp	PF08127	140Kb / 18P	MOS FET Power Amplifier Module for E-GSM and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone Oct. 2002
Renesas Technology Corp	PF08134	138Kb / 16P	MOS FET Power Amplifier Module for GSM850 and DCS1800/1900 Triple Band Handy Phone May 13, 2004

Sobre a RF Micro Devices

A RF Micro Devices (RFMD) era uma empresa americana especializada no design e fabricação de componentes e soluções de radiofrequência (RF) para comunicações sem fio. A empresa foi fundada em 1991 e estava sediada em Greensboro, Carolina do Norte. A RFMD forneceu uma ampla gama de produtos, incluindo amplificadores de energia, transceptores, filtros e outros componentes de RF que foram usados em dispositivos móveis, módulos Wi-Fi e Bluetooth e outros sistemas sem fio.

A RFMD era conhecida por sua experiência em tecnologia de RF e sua capacidade de fornecer produtos inovadores e de alto desempenho. A empresa teve um forte foco em pesquisa e desenvolvimento e esteve ativamente envolvido no desenvolvimento de novas tecnologias e soluções para a indústria sem fio. Os produtos da RFMD foram amplamente utilizados em uma variedade de aplicações e ajudaram a apoiar o crescimento da indústria sem fio.

Em 2015, a RFMD foi adquirida pela Skyworks Solutions, Inc., fornecedora líder de semicondutores analógicos de alto desempenho. A aquisição permitiu que a SkyWorks expandisse seu portfólio de produtos e ofertas no mercado de RF e fortalecesse ainda mais sua posição na indústria sem fio.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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