RF2115 Folha de dados(PDF) - RF Micro Devices

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RF2115 Folha de dados (PDF) - RF Micro Devices

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HIGH POWER UHF AMPLIFIER

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RF2115 Detalhes do produto

Product Description
The RF2115L is a high power amplifier IC. The device is manufactured on an advanced Gallium Arsenide Hetero junction Bipolar Transistor (HBT) process, and has been designed for use as the final RF amplifier in analog cellular phone transmitters or ISM applications operating at 915MHz. The device is packaged in a 16-lead ceramic quad leadless chip carrier with a backside ground. The device is self-contained with the exception of the output matching network and power supply feed line. A two-bit digital control provides 4 levels of power control, in 10dB steps.

Features
• Single 5V to 6.5V Supply
• Up to 1.0W CW Output Power
• 33dB Small Signal Gain
• 48% Efficiency
• Digitally Controlled Output Power
• Small Package Outline (0.25" x 0.25")

Typical Applications
• Analog Communication Systems
• Analog Cellular Systems (AMPS & TACS)
• 900MHz Spread-Spectrum Systems
• 400MHz Industrial Radios
• Driver Stage for Higher Power Applications
• Portable Battery-Powered Equipment

Nº de peça semelhante - RF2115

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
RF Micro Devices	RF2114	73Kb / 6P	MEDIUM POWER LINEAR AMPLIFIER
	RF2114PCBA	73Kb / 6P	MEDIUM POWER LINEAR AMPLIFIER
	RF2117	173Kb / 8P	HIGH EFFICIENCY 400MHZ AMPLIFIER
	RF2117PCBA	173Kb / 8P	HIGH EFFICIENCY 400MHZ AMPLIFIER
	RF2119	82Kb / 8P	HIGH EFFICIENCY 2V POWER AMPLIFIER

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DAICO Industries, Inc.	CAM09121	165Kb / 1P	UHF High Power Amplifier (Driver)
DAICO Industries, Inc.	CAMH9120	155Kb / 1P	UHF High Power Amplifier
List of Unclassifed Man...	BGY91A	126Kb / 3P	UHF Power Amplifier module
American Microsemicondu...	2N5481	1Mb / 1P	NPN UHF POWER Amplifier Transistor
Toshiba Semiconductor	2SC1001	58Kb / 2P	UHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS.
	2SC1165	56Kb / 2P	UHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS.
	2SC2106	60Kb / 2P	UHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS.
	2SC2379	59Kb / 2P	UHF BAND POWER AMPLIFIER APPLICATIONS.

Sobre a RF Micro Devices

A RF Micro Devices (RFMD) era uma empresa americana especializada no design e fabricação de componentes e soluções de radiofrequência (RF) para comunicações sem fio. A empresa foi fundada em 1991 e estava sediada em Greensboro, Carolina do Norte. A RFMD forneceu uma ampla gama de produtos, incluindo amplificadores de energia, transceptores, filtros e outros componentes de RF que foram usados em dispositivos móveis, módulos Wi-Fi e Bluetooth e outros sistemas sem fio.

A RFMD era conhecida por sua experiência em tecnologia de RF e sua capacidade de fornecer produtos inovadores e de alto desempenho. A empresa teve um forte foco em pesquisa e desenvolvimento e esteve ativamente envolvido no desenvolvimento de novas tecnologias e soluções para a indústria sem fio. Os produtos da RFMD foram amplamente utilizados em uma variedade de aplicações e ajudaram a apoiar o crescimento da indústria sem fio.

Em 2015, a RFMD foi adquirida pela Skyworks Solutions, Inc., fornecedora líder de semicondutores analógicos de alto desempenho. A aquisição permitiu que a SkyWorks expandisse seu portfólio de produtos e ofertas no mercado de RF e fortalecesse ainda mais sua posição na indústria sem fio.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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