CGA-6618Z Folha de dados(PDF) - RF Micro Devices

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CGA-6618Z Folha de dados (PDF) - RF Micro Devices

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Fabricante Electrônico	RFMD [RF Micro Devices]

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Descrição Electrónicos

DUAL CATV 1MHz to 1000MHz HIGH LINEARITY GaAs HBT AMPLIFIER

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Fabricante Electrônico	RFMD [RF Micro Devices]

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Descrição Electrónicos	DUAL CATV 1MHz to 1000MHz HIGH LINEARITY GaAs HBT AMPLIFIER

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CGA-6618Z Detalhes do produto

Product Description
RFMD’s CGA-6681(Z) is a high performance GaAs HBT MMIC Amplifier. Designed with the InGaP process technology for excellent reliability. A Darlington configuration is utilized for broadband performance. The heterojunction increases breakdown voltage and minimizes leakage current between junctions. The CGA-6618(Z) contains two amplifiers for use in wideband Push-Pull CATV amplifiers requiring excellent second orfer performance. The second or third order non-linearities are greatly improved in the push pull configuration.

Features
■ Available in Lead-Free, RoHS Compliant, and Green Packaging
■ Excellent CSO/CTB/XMOD Performance at +34dBmV Output Power Per Tone
■ Dual Devices in Each SOIC-8 Package Simplify Push-Pull Configuration PC Board Layout
■ ESOP-8 Package

Applications
■ CATV Head End Driver and Predriver Amplifier
■ CATV Line Driver Amplifier

Nº de peça semelhante - CGA-6618Z

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
SIRENZA MICRODEVICES	CGA-6618Z	297Kb / 8P	Dual CATV 1 MHz to 1000 MHz High Linearity GaAs HBT Amplifier

Descrição semelhante - CGA-6618Z

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Stanford Microdevices	CGA-6618	323Kb / 5P	DUAL CATV BROADBAND HIGH LINEARITY GAAS HBT AMPLIFIER
Stanford Microdevices	CGA-3318	355Kb / 8P	Dual CATV Broadband High Linearity SiGe HBT Amplifier
SIRENZA MICRODEVICES	CGA-3318	236Kb / 8P	Dual CATV Broadband High Linearity SiGe HBT Amplifier
SIRENZA MICRODEVICES	CGA-6618	297Kb / 8P	Dual CATV 1 MHz to 1000 MHz High Linearity GaAs HBT Amplifier
RF Micro Devices	CGA-3318Z	297Kb / 10P	DUAL CATV BROADBAND HIGH LINEARITY SiGe HBT AMPLIFIER
	CGA-7718Z	440Kb / 8P	PUSH-PULL 50MHz to 1000MHz HIGH LINEARITY InGaP HBT AMPLIFIER
	CGB-1089Z	314Kb / 8P	50MHz to 1000MHz SINGLE ENDED InGaP/GaAs HBT MMIC CATV AMPLIFIER
	CGA-3318Z	417Kb / 10P	DUAL CATV BROADBAND HIGH LINEARITY SiGe HBT AMPLIFIER
Qorvo, Inc	RFCA1008	935Kb / 23P	5MHz to 1000MHz, Push-Pull, High Linearity InGaP HBT Amplifier
Qorvo, Inc	CGA-7718Z	450Kb / 8P	PUSH-PULL 50MHz to 1000MHz HIGH LINEARITY InGaP HBT AMPLIFIER

Sobre a RF Micro Devices

A RF Micro Devices (RFMD) era uma empresa americana especializada no design e fabricação de componentes e soluções de radiofrequência (RF) para comunicações sem fio. A empresa foi fundada em 1991 e estava sediada em Greensboro, Carolina do Norte. A RFMD forneceu uma ampla gama de produtos, incluindo amplificadores de energia, transceptores, filtros e outros componentes de RF que foram usados em dispositivos móveis, módulos Wi-Fi e Bluetooth e outros sistemas sem fio.

A RFMD era conhecida por sua experiência em tecnologia de RF e sua capacidade de fornecer produtos inovadores e de alto desempenho. A empresa teve um forte foco em pesquisa e desenvolvimento e esteve ativamente envolvido no desenvolvimento de novas tecnologias e soluções para a indústria sem fio. Os produtos da RFMD foram amplamente utilizados em uma variedade de aplicações e ajudaram a apoiar o crescimento da indústria sem fio.

Em 2015, a RFMD foi adquirida pela Skyworks Solutions, Inc., fornecedora líder de semicondutores analógicos de alto desempenho. A aquisição permitiu que a SkyWorks expandisse seu portfólio de produtos e ofertas no mercado de RF e fortalecesse ainda mais sua posição na indústria sem fio.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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