2N5401 Folha de dados(PDF) - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

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2N5401 Folha de dados (PDF) - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

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PNP Transistor Plastic-Encapsulate Transi stors

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2N5401 Detalhes do produto

PNP Transistor Plastic-Encapsulate Transistors

FEATURES

Power Dissipation

PCM : 0.625    W (Tamb=25 )

Collector current

ICM   : - 0.6     A

Collector-base voltage

V(BR)CBO : -160   V

Operating and storage junction temperature range

TJ, Tstg: -55℃ to +150℃

Nº de peça semelhante - 2N5401

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Motorola, Inc	2N5401	177Kb / 6P	Amplifier Transistor(PNP Silicon)
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Samsung semiconductor	2N5401	76Kb / 2P	PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Semtech Corporation	2N5401	124Kb / 2P	PNP Silicon Expitaxial Planar Transistor for general purpose, high voltage amplifier applications???
Fairchild Semiconductor	2N5401	109Kb / 4P	PNP General Purpose Amplifier

Descrição semelhante - 2N5401

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
SeCoS Halbleitertechnol...	2N4401	324Kb / 2P	NPN Transistor Plastic-Encapsulate Transi stors
	2SC2411	230Kb / 2P	NPN Transistor Plastic-Encapsulate Transi stors
	BC807-16W	197Kb / 3P	PNP Plastic Encapsulate Transistor
Weitron Technology	BCX53	700Kb / 3P	PNP Plastic-Encapsulate Transistor
Micro Commercial Compon...	MMBT5401	68Kb / 2P	PNP Plastic Encapsulate Transistor
Weitron Technology	BC869	522Kb / 3P	PNP Plastic-Encapsulate Transistor
Weitron Technology	KTA1266	216Kb / 3P	PNP Plastic-Encapsulate Transistor
Micro Commercial Compon...	2SA1012	213Kb / 2P	PNP Plastic-Encapsulate Transistor
SeCoS Halbleitertechnol...	BC807	419Kb / 2P	PNP Plastic Encapsulate Transistor
SeCoS Halbleitertechnol...	BC327	299Kb / 3P	PNP Plastic-Encapsulate Transistor

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