TSFF5200 Folha de dados(PDF) - Vishay Siliconix

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TSFF5200 Folha de dados (PDF) - Vishay Siliconix

TSFF5200 Datasheet PDF - Vishay Siliconix


Nome de Peças	TSFF5200

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

Página de início	http://www.vishay.com

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Descrição Electrónicos

High Speed IR Emitting Diode in ø5 mm (T–13/4) Package

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Descrição Electrónicos	High Speed IR Emitting Diode in ø5 mm (T–13/4) Package

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TSFF5200 Detalhes do produto

DESCRIPTION
TSFF5210 is an infrared, 870 nm emitting diode in GaAlAs double hetero (DH) technology with high radiant power and high speed, molded in a clear, untinted plastic package.

FEATURES
• Package type: leaded
• Package form: T-1 3/4
• Dimensions (in mm): Ø 5
• Leads with stand-off
• Peak wavelength: λp = 870 nm
• High reliability
• High radiant power
• High radiant intensity
• Angle of half intensity: ϕ = ± 10°
• Low forward voltage
• Suitable for high pulse current operation
• High modulation bandwidth: fc = 24 MHz
• Good spectral matching with Si photodetectors
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

APPLICATIONS
• Infrared video data transmission between camcorder and TV set
• Free air data transmission systems with high modulation frequencies or high data transmission rate requirements
• Smoke-automatic fire detectors

Nº de peça semelhante - TSFF5200

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Vishay Siliconix	TSFF5210	113Kb / 6P	High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero 28-Nov-06
	TSFF5210	109Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 870 nm, GaAlAs Double Hetero 04-Aug-08
	TSFF5210	111Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero 29-Jun-09
	TSFF5210	113Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero 24-Aug-11
	TSFF5210	112Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero 24-Aug-11

Descrição semelhante - TSFF5200

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Vishay Siliconix	TSAL6100	82Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package 20-May-99
	TSAL6200	82Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package 20-May-99
	TSAL6400	76Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package 20-May-99
	TSAL7200	82Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package 20-May-99
	TSAL7300	83Kb / 6P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package 20-May-99
	TSAL7400	76Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package 20-May-99
	TSAL7600	80Kb / 5P	GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in 짰5 mm (T-13/4) Package 20-May-99
	TSFF5400	86Kb / 6P	High Speed IR Emitting Diode in ø 5 mm (T–13/4) Package 29-Jun-99
	TSHF5400	84Kb / 6P	High Speed IR Emitting Diode in ø 5 mm (T–13/4) Package 02-Aug-99
	TSPF5400	85Kb / 6P	High Speed IR Emitting Diode in ø 5 mm (T–13/4) Package 20-May-99

Sobre a Vishay Siliconix

Vishay Siliconix é uma subsidiária da Vishay Intertechnology, fabricante global de componentes eletrônicos passivos.
Vishay Siliconix é especializado no design, fabricação e marketing de MOSFETS, IGBTS e outros semicondutores de energia.
A empresa foi fundada em 1962 e está sediada em Santa Clara, Califórnia.
O Vishay Siliconix fornece soluções de energia para uma variedade de aplicações, incluindo sistemas de energia renovável, equipamentos industriais, computação e telecomunicações e eletrônicos automotivos.
Os produtos da empresa são projetados para alta eficiência, baixo consumo de energia e alta confiabilidade e são fabricados em instalações de última geração usando processos avançados de fabricação.
Com foco na inovação e satisfação do cliente, a Vishay Siliconix está comprometida em fornecer a seus clientes as melhores soluções de gerenciamento de energia para atender às suas necessidades.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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