CQY37N Folha de dados(PDF) - Vishay Siliconix

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CQY37N Folha de dados (PDF) - Vishay Siliconix

CQY37N Datasheet PDF - Vishay Siliconix


Nome de Peças	CQY37N

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

Página de início	http://www.vishay.com

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Descrição Electrónicos

GaAs Infrared Emitting Diode in Miniature (T-3/4)Package

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

Página de início	http://www.vishay.com

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Descrição Electrónicos	GaAs Infrared Emitting Diode in Miniature (T-3/4)Package

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CQY37N Detalhes do produto

DESCRIPTION
CQY37N is an infrared, 950 nm emitting diode in GaAs technology molded in a miniature, clear plastic package with lens.

FEATURES
• Package type: leaded
• Package form: T-¾
• Dimensions (in mm): Ø 1.8
• Peak wavelength: λp = 950 nm
• High reliability
• Angle of half intensity: φ = ± 12°
• Low forward voltage
• Suitable for high pulse current operation
• Good spectral matching with Si photodetectors
• Package matches with detector BPW17N
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

APPLICATIONS
• Radiation source in near infrared range

Nº de peça semelhante - CQY37N

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Vishay Siliconix	CQY37N	106Kb / 6P	GaAs Infrared Emitting Diode in Miniature (T-4/3) Package 30-Mar-06
	CQY37N	293Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 950 nm, GaAs 04-Sep-08
	CQY37N	278Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 08-Mar-11
	CQY37N	281Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 08-Mar-11
	CQY37N	280Kb / 5P	Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAs 08-Mar-11

Descrição semelhante - CQY37N

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Vishay Siliconix	CQY36N	120Kb / 6P	GaAs Infrared Emitting Diode in Miniature (T-3/4) Package 08-Mar-05
Unity Opto Technology	MIE-516A2U	29Kb / 2P	AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
	MIE-516A4U	30Kb / 2P	AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
	MIE-526A2U	30Kb / 2P	AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
	MIE-526A4U	30Kb / 2P	AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
	MIE-536A2U	30Kb / 2P	AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
	MIE-546A2U	30Kb / 2P	AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
	MIE-556A4U	30Kb / 2P	AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
	MIE-824A4	31Kb / 2P	AlGaAs/GaAs T-1 3/4 PACKAGE INFRARED EMITTING DIODE
Vishay Siliconix	CQY37N	106Kb / 6P	GaAs Infrared Emitting Diode in Miniature (T-4/3) Package 30-Mar-06

Sobre a Vishay Siliconix

Vishay Siliconix é uma subsidiária da Vishay Intertechnology, fabricante global de componentes eletrônicos passivos.
Vishay Siliconix é especializado no design, fabricação e marketing de MOSFETS, IGBTS e outros semicondutores de energia.
A empresa foi fundada em 1962 e está sediada em Santa Clara, Califórnia.
O Vishay Siliconix fornece soluções de energia para uma variedade de aplicações, incluindo sistemas de energia renovável, equipamentos industriais, computação e telecomunicações e eletrônicos automotivos.
Os produtos da empresa são projetados para alta eficiência, baixo consumo de energia e alta confiabilidade e são fabricados em instalações de última geração usando processos avançados de fabricação.
Com foco na inovação e satisfação do cliente, a Vishay Siliconix está comprometida em fornecer a seus clientes as melhores soluções de gerenciamento de energia para atender às suas necessidades.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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