2SK3386 Folha de dados(PDF) - Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

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MOS Field Effect Transistor

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2SK3386 Detalhes do produto

Features
● Low on-resistance
RDS(on)1 = 21 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 17A)
RDS(on)2 = 36 m MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 17A)
● Low Ciss : Ciss = 2100 pF TYP.
● Built-in gate protection diode

Nº de peça semelhante - 2SK3386

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
NEC	2SK3386	42Kb / 4P	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
VBsemi Electronics Co.,...	2SK3386	960Kb / 7P	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
Inchange Semiconductor ...	2SK3386	399Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Renesas Technology Corp	2SK3386	241Kb / 10P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2000
NEC	2SK3386-Z	42Kb / 4P	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

Descrição semelhante - 2SK3386

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
NEC	2SK3113B	202Kb / 8P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NP36P04KDG	189Kb / 7P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NP83P06PDG	190Kb / 7P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
	NP100P04PDG	190Kb / 7P	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
Guangdong Kexin Industr...	KPA1790	58Kb / 2P	MOS Field Effect Transistor
	KPA2790GR	58Kb / 2P	MOS Field Effect Transistor
	2SK3919	45Kb / 1P	MOS Field Effect Transistor
	2SK3635	46Kb / 1P	MOS Field Effect Transistor
	2SJ598	49Kb / 2P	MOS Field Effect Transistor
	KPA1750	52Kb / 2P	MOS Field Effect Transistor

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