2N5882 Folha de dados(PDF) - Mospec Semiconductor

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2N5882 Folha de dados (PDF) - Mospec Semiconductor

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2N5882 Detalhes do produto

General-Purpose Power Amplifier and Switching Applications

FEATURES:
* Low Collector-Emitter Saturation Voltage -
VCE(SAT) = 1.0V(Max.) @ IC = 7.0A
* Execllent DC Current Gain -
hFE = 10 ~ 100 @ IC = 6.0 A

Nº de peça semelhante - 2N5882

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
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List of Unclassifed Man...	2N5882	347Kb / 8P	Power Transistors
Savantic, Inc.	2N5882	112Kb / 3P	Silicon NPN Power Transistors
Quanzhou Jinmei Electro...	2N5882	118Kb / 3P	Silicon NPN Power Transistors

Descrição semelhante - 2N5882

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Mospec Semiconductor	2N3055A	193Kb / 4P	POWER TRANSISTORS(15A)
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	BD905	143Kb / 3P	POWER TRANSISTORS(15A,90W)
	BUV37	85Kb / 2P	POWER TRANSISTORS(15A,400V,100W)
MicroPower Direct, LLC	LBC-160	1Mb / 4P	160W Output Power

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