2N4912 Folha de dados(PDF) - Mospec Semiconductor

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2N4912 Detalhes do produto

NPN SILICON TRANSISTORS

... designed for driver circuits, switching and amplifier applications.

FEATURES
* Low Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)=0.6 V (Max.) @ Ic = 1.0 A
* Excellent Safe Operating Area
* Gain Specified to Ic = 1.0 Amp.
* Complement to PNP 2N499.

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Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Central Semiconductor C...	2N4912	51Kb / 1P	Power Transistors
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Nexperia B.V. All right...	BC54PAS	1Mb / 14P	45V/60V/80V, 1A NPN medium power transistors
Nexperia B.V. All right...	BC54PAS_SER	1Mb / 14P	45V/60V/80V, 1A NPN medium power transistors Rev. 1 - 11 November 2014
Nanjing International G...	2SB1260	612Kb / 4P	Power Transistor(-80V,-1A)

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