3SK295 Folha de dados(PDF)

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3SK295 Detalhes do produto

Features
• Low noise figure.
NF = 2.0 dB typ. at f = 900 MHz
• Capable of low voltage operation

Application
• UHF RF amplifier

Nº de peça semelhante - 3SK295

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Hitachi Semiconductor	3SK295	51Kb / 10P	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

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Hitachi Semiconductor	3SK194	37Kb / 9P	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET
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	3SK295	51Kb / 10P	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET
	3SK298	54Kb / 11P	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET
NXP Semiconductors	BF981	27Kb / 1P	SILICON N-CHANNEL DUAL GATE MOS-FET December 1990
List of Unclassifed Man...	BF982	123Kb / 3P	SILICON N-CHANNEL DUAL GATE MOS-FET
Hitachi Semiconductor	3SK322	90Kb / 12P	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET
NXP Semiconductors	BF992	243Kb / 9P	Silicon N-channel dual gate MOS-FET Rev. 04-21 November 2007
Renesas Technology Corp	3SK296	190Kb / 8P	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET
Renesas Technology Corp	3SK297	196Kb / 9P	Silicon N-Channel Dual Gate MOS FET

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Sobre a Renesas Technology Corp

A Renesas Technology Corp é uma empresa de semicondutores japoneses que fornece uma ampla gama de microcontroladores, sistemas em chips e dispositivos analógicos e de energia para várias aplicações nos mercados automotivo, industrial e de consumidores.
A empresa foi formada em 2010 através da fusão da NEC Electronics Corporation e da Renesas Technology Corporation.
O Renesas é um dos maiores fornecedores de microcontroladores do mundo e é conhecido por sua experiência no desenvolvimento de tecnologias avançadas em áreas como a Internet das Coisas (IoT), Inteligência Artificial (AI) e eletrônica automotiva.
A empresa possui operações em mais de 20 países e seus produtos são usados em uma ampla gama de aplicações.

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