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12N60C Folha de dados (PDF) - Unisonic Technologies
12N60C Datasheet PDF - Unisonic Technologies
Nome de Peças 12N60C
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Tamanho do Arquivo   235.07 Kbytes
página   6 Pages
Fabricante Electrônico  UTC [Unisonic Technologies]
Página de início  http://www.utc-ic.com
Logo UTC - Unisonic Technologies
Descrição Electrónicos 12 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET

12N60C Datasheet (PDF)

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12N60C Datasheet PDF - Unisonic Technologies

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Fabricante Electrônico  UTC [Unisonic Technologies]
Página de início  http://www.utc-ic.com
Logo UTC - Unisonic Technologies
Descrição Electrónicos 12 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET

12N60C Folha de dados (HTML) - Unisonic Technologies


12N60C Detalhes do produto

The UTC 12N60are N-Channel enhancement mode power field effect transistors (MOSFET) which are produced using UTCs proprietary, planar stripe, DMOS technology.



These devices are suited for high efficiency switch mode power supply. To minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode the advanced technology has been especially tailored.



„ FEATURES

* RDS(ON) = 0.8Ω @VGS = 10 V

* Ultra low gate charge ( typical 42 nC )

* Low reverse transfer capacitance ( CRSS = typical 25 pF )

* Fast switching capability

* Avalanche energy specified

* Improved dv/dt capability, high ruggedness




Nº de peça semelhante - 12N60C

Fabricante ElectrônicoNome de PeçasFolha de dadosDescrição Electrónicos
logo
Fairchild Semiconductor		 12N60C3D FAIRCHILD-12N60C3D Datasheet
124Kb / 8P		 24A, 600V, UFS SERIES N-CHANNEL IGBT WITH ANTI-PARALLEL HYPERFAST DIODE
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Descrição semelhante - 12N60C

Fabricante ElectrônicoNome de PeçasFolha de dadosDescrição Electrónicos
logo
Unisonic Technologies		 7N60A UTC-7N60A Datasheet
297Kb / 7P		 7 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET
6N60 UTC-6N60 Datasheet
141Kb / 7P		 6.2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET
7N60L UTC-7N60L Datasheet
182Kb / 7P		 7.4 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET
7N60Z UTC-7N60Z Datasheet
194Kb / 6P		 7.4 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET
1N60 UTC-1N60_10 Datasheet
275Kb / 6P		 1.2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET
6N60 UTC-6N60_10 Datasheet
249Kb / 6P		 6.2 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET
12N60 UTC-12N60_10 Datasheet
358Kb / 7P		 12 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL MOSFET
logo
First Silicon Co., Ltd		 FTK12N65F-F FS-FTK12N65F-F Datasheet
482Kb / 7P		 12 Amps, 650 Volts N-CHANNEL MOSFET
FTK12N65P FS-FTK12N65P Datasheet
427Kb / 7P		 12 Amps, 650 Volts N-CHANNEL MOSFET
FTK12N65PD FS-FTK12N65PD Datasheet
427Kb / 7P		 12 Amps, 650 Volts N-CHANNEL MOSFET
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Sobre a Unisonic Technologies

A Unisonic Technologies é uma empresa de semicondutores de Taiwan, especializada em design, fabricação e vendas de gerenciamento de energia e circuitos integrados analógicos (ICS). A empresa foi fundada em 1980 e tem uma presença global, com escritórios e instalações na Ásia, Europa e Américas.

A Unisonic Technologies fornece uma ampla gama de produtos e soluções, incluindo ICs de gerenciamento de energia, reguladores de tensão linear e ICs de controle motor. Os produtos da empresa são usados ​​em uma variedade de aplicações, incluindo eletrônicos de consumo, automotivo, industrial e telecomunicações. A Unisonic Technologies é conhecida por sua experiência em tecnologia de gerenciamento de energia e sua capacidade de fornecer soluções de alto desempenho e custo-benefício para seus clientes.

Nos últimos anos, a Unisonic Technologies expandiu seu portfólio de produtos e ofertas para incluir soluções para os mercados da Internet das Coisas (IoT) e de energia inteligente. A empresa está comprometida com a inovação, pesquisa e desenvolvimento e está ativamente envolvida no desenvolvimento de novas tecnologias e soluções para a indústria de semicondutores. A Unisonic Technologies é um líder reconhecido no mercado de gerenciamento de energia e ICS e continua a fornecer produtos e serviços de alta qualidade aos seus clientes.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.




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