DXTN78030DFGQ Folha de dados(PDF) - Diodes Incorporated

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DXTN78030DFGQ Folha de dados (PDF) - Diodes Incorporated

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Fabricante Electrônico	DIODES [Diodes Incorporated]

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Ultra-Low VCE(sat) NPN and PNP Bipolar Transistors Maximize Power Density and Efficiency in Compact Automotive Designs

DXTN78030DFGQ Datasheet (PDF)

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Fabricante Electrônico	DIODES [Diodes Incorporated]

Página de início	http://www.diodes.com

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Descrição Electrónicos	Ultra-Low VCE(sat) NPN and PNP Bipolar Transistors Maximize Power Density and Efficiency in Compact Automotive Designs

DXTN78030DFGQ Folha de dados (HTML) - Diodes Incorporated

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Nº de peça semelhante - DXTN78030DFGQ

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Diodes Incorporated	DXTN03060CFG	859Kb / 7P	60V NPN LOW VCESAT TRANSISTOR IN PowerDI3333-8 January 2021 Rev. 1 - 2
	DXTN03100CFG	845Kb / 7P	100V NPN LOW VCESAT TRANSISTOR IN PowerDI3333-8 January 2021 Rev. 1 - 2
	DXTN03100CFG-7	845Kb / 7P	100V NPN LOW VCESAT TRANSISTOR IN PowerDI3333-8 January 2021 Rev. 1 - 2
	DXTN07025BFG	802Kb / 7P	25V NPN HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN PowerDI3333-8 October 2018
	DXTN07025DBFG-7	802Kb / 7P	25V NPN HIGH PERFORMANCE TRANSISTOR IN PowerDI3333-8 October 2018

Descrição semelhante - DXTN78030DFGQ

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Unisonic Technologies	UP2518	117Kb / 4P	LOW VCE(SAT) PNP SILICON POWER TRANSISTORS
ON Semiconductor	NSS40300MZ4	94Kb / 6P	Bipolar Power Transistors 40 V, 3.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor May, 2007 - Rev. 0
	NSS40301MZ4	89Kb / 6P	Bipolar Power Transistors 40 V, 3.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor August, 2007 - Rev. 0
	NSS40301MZ4	114Kb / 6P	Bipolar Power Transistors 40 V, 3.0 A, Low VCE(sat) NPN Transistor September, 2010 ??Rev. 1
Unisonic Technologies	UP2518	114Kb / 3P	LOW VCE(SAT) PNP SILICON POWER TRANSISTORS
ON Semiconductor	2SA2125	325Kb / 1P	Bipolar Transistor (-)50V, (-)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP November, 2013
	CPH3116	631Kb / 7P	Bipolar Transistor (-)50V, (-)1A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single CPH3 September, 2013
	MCH3145	436Kb / 8P	Bipolar Transistor (-)50V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single MCPH3 September, 2013
	NSS40300MZ4	98Kb / 6P	Bipolar Power Transistors 40 V, 3.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor September, 2013 ??Rev. 3
	NSV1C300CT	292Kb / 7P	Bipolar Power Transistors 100 V, 3.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor February, 2021 - Rev. 0

Sobre a Diodes Incorporated

Os Diodes Incorporated é uma empresa de capital aberto que projeta, fabrica e fornece uma ampla gama de semicondutores discretos, analógicos e de sinal misto e soluções de energia completas.
A empresa foi fundada em 1964 e está sediada em Plano, Texas.
Opera globalmente com centros de vendas, suporte e design na América do Norte, Europa e Ásia.
Os diodos Incorporated serve a uma variedade de indústrias, incluindo automotivo, comunicações, computação, consumidor e industrial.
A empresa oferece uma ampla gama de produtos, incluindo diodos, retificadores, transistores, reguladores de tensão, MOSFETs, motoristas de LED e dispositivos de proteção, entre outros.
A missão da empresa é fornecer aos clientes produtos de alta qualidade e de alta confiabilidade e excelente atendimento ao cliente.
Com foco na inovação e satisfação do cliente, os Diodes Incorporated estão comprometidos em se tornar um fornecedor líder de soluções de gerenciamento de energia.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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