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ISL73096RHVF Folha de dados (PDF) - Renesas Technology Corp
ISL73096RHVF Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
Nome de Peças ISL73096RHVF
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página   11 Pages
Fabricante Electrônico  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Página de início  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
Descrição Electrónicos Radiation Hardened Ultra High Frequency NPN/PNP Transistor Arrays

ISL73096RHVF Datasheet (PDF)

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Fabricante Electrônico  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Página de início  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
Descrição Electrónicos Radiation Hardened Ultra High Frequency NPN/PNP Transistor Arrays

ISL73096RHVF Folha de dados (HTML) - Renesas Technology Corp


ISL73096RHVF Detalhes do produto

Features
• Electrically screened to SMD # 5962-07218
• QML qualified per MIL-PRF-38535 requirements
• Radiation tolerance
- High dose rate (50-300rad(Si)/s). . . . . . . . . . . 100krad(Si)
- Low dose rate (0.01rad(Si)/s) . . . . . . . . . . . . . 50krad(Si)*
- SEL immune . . . . . . . . . . Bonded wafer dielectric isolation
• NPN gain bandwidth product (FT) . . . . . . . . . . . . . .8GHz (typ)
• NPN current gain (hFE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130 (typ)
• NPN early voltage (VA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V (typ)
• PNP gain bandwidth product (FT). . . . . . . . . . . . . 5.5GHz (typ)
• PNP current gain (hFE). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 (typ)
• PNP early voltage (VA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V (typ)
• Noise figure (50) at 1GHz. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5dB (typ)
• Collector-to-collector leakage . . . . . . . . . . . . . . . . . . <1pA (typ)
• Complete isolation between transistors
* Limit established by characterization.




Nº de peça semelhante - ISL73096RHVF

Fabricante ElectrônicoNome de PeçasFolha de dadosDescrição Electrónicos
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Intersil Corporation		 ISL73096RH INTERSIL-ISL73096RH Datasheet
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237Kb / 5P		 Radiation Hardened Ultra High Frequency NPN/PNP Transistor Arrays
March 23, 2009
ISL73096RHF/PROTO INTERSIL-ISL73096RHF/PROTO Datasheet
197Kb / 4P		 Radiation Hardened Ultra High Frequency NPN/PNP Transistor Arrays
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434Kb / 15P		 NPN/PNP Transistor Arrays
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298Kb / 13P		 Ultra High Frequency Transistor Arrays
December 21, 2005
ISL73096RH INTERSIL-ISL73096RH_09 Datasheet
237Kb / 5P		 Radiation Hardened Ultra High Frequency NPN/PNP Transistor Arrays
March 23, 2009
ISL73096RH INTERSIL-ISL73096RH Datasheet
197Kb / 4P		 Radiation Hardened Ultra High Frequency NPN/PNP Transistor Arrays
November 12, 2009
logo
Microsemi Corporation		 JAN2N3501UB MICROSEMI-JAN2N3501UB Datasheet
614Kb / 7P		 RADIATION HARDENED NPN SILICON SWITCHING TRANSISTOR
logo
Renesas Technology Corp		 HFA3046 RENESAS-HFA3046 Datasheet
699Kb / 14P		 Ultra High Frequency Transistor Arrays
HFA3046 RENESAS-HFA3046_V01 Datasheet
790Kb / 16P		 Ultra High Frequency Transistor Arrays
Jan 24, 2019
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Sobre a Renesas Technology Corp

A Renesas Technology Corp é uma empresa de semicondutores japoneses que fornece uma ampla gama de microcontroladores, sistemas em chips e dispositivos analógicos e de energia para várias aplicações nos mercados automotivo, industrial e de consumidores.
A empresa foi formada em 2010 através da fusão da NEC Electronics Corporation e da Renesas Technology Corporation.
O Renesas é um dos maiores fornecedores de microcontroladores do mundo e é conhecido por sua experiência no desenvolvimento de tecnologias avançadas em áreas como a Internet das Coisas (IoT), Inteligência Artificial (AI) e eletrônica automotiva.
A empresa possui operações em mais de 20 países e seus produtos são usados ​​em uma ampla gama de aplicações.

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