IXBH6N170 Folha de dados(PDF) - IXYS Corporation

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IXBH6N170 Folha de dados (PDF) - IXYS Corporation

IXBH6N170 Datasheet PDF - IXYS Corporation


Nome de Peças	IXBH6N170

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Fabricante Electrônico	IXYS [IXYS Corporation]

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High Voltage, High Gain BIMOSFET??Monolithic Bipolar MOS Transistor

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Descrição Electrónicos	High Voltage, High Gain BIMOSFET??Monolithic Bipolar MOS Transistor

IXBH6N170 Folha de dados (HTML) - IXYS Corporation

IXBH6N170 Datasheet HTML 1Page - IXYS Corporation

IXBH6N170 Datasheet HTML 2Page - IXYS Corporation

IXBH6N170 Detalhes do produto

Features
● High Blocking Voltage
● JEDEC TO-268 surface and JEDEC TO-247 AD
● Low conduction losses
● High current handling capability
● MOS Gate turn-on - drive simplicity
● Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification

Applications
● AC motor speed control
● Uninterruptible power supplies (UPS)
● Switched-mode and resonant-mode power supplies
● Capacitor discharge circuits

Advantages
● High power density
● Suitable for surface mounting
● Easy to mount with 1 screw, (isolated mounting screw hole)

Nº de peça semelhante - IXBH6N170

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
IXYS Corporation	IXBH10N170	596Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH10N300HV	267Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH12N300	183Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH12N300	183Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH14N300HV	365Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFETTM Monolithic Bipolar MOS Transistor

Descrição semelhante - IXBH6N170

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
IXYS Corporation	IXBH16N170A	51Kb / 2P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBH10N170	596Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBF12N300	207Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	MMIX4B12N300	259Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	MMIX4B20N300	255Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	MMIX4B22N300	238Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBT20N300HV	206Kb / 5P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBT20N360HV	286Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBT32N300HV	309Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor
	IXBX25N250	171Kb / 6P	High Voltage, High Gain BIMOSFET Monolithic Bipolar MOS Transistor

Sobre a IXYS Corporation

A IXYS Corporation é uma empresa de tecnologia especializada no design, fabricação e venda de semicondutores de energia e circuitos integrados (ICS). A empresa foi fundada em 1983 e está sediada em Milpitas, Califórnia. A IXYS tem uma presença global, com operações e clientes em mais de 60 países em todo o mundo.

O IXYS fornece uma ampla gama de produtos e soluções, incluindo moscas de potência, transistores bipolares de energia, tiristores, diodos e ICs para gestão de energia e aplicações de controle. Os produtos da empresa são usados em uma variedade de aplicações, incluindo energia renovável, industrial, automotiva e eletrônica de consumo.

A IXYS é conhecida por sua experiência em tecnologia de semicondutores de energia e sua capacidade de fornecer soluções de alto desempenho e custo-benefício para seus clientes. A empresa está comprometida com a inovação e pesquisa e desenvolvimento e está ativamente envolvida no desenvolvimento de novas tecnologias e soluções para o mercado de semicondutores de energia. A IXYS é um líder reconhecido no mercado de semicondutores de energia e continua a fornecer produtos e serviços de alta qualidade aos seus clientes.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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