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IRFL9110PBF Folha de dados (PDF) - International Rectifier
IRFL9110PBF Datasheet PDF - International Rectifier
Nome de Peças IRFL9110PBF
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Tamanho do Arquivo   223.19 Kbytes
página   9 Pages
Fabricante Electrônico  IRF [International Rectifier]
Página de início  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Descrição Electrónicos HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on) = 1.2廓 , ID = -1.1A )

IRFL9110PBF Datasheet (PDF)

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Fabricante Electrônico  IRF [International Rectifier]
Página de início  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Descrição Electrónicos HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on) = 1.2廓 , ID = -1.1A )

IRFL9110PBF Folha de dados (HTML) - International Rectifier


IRFL9110PBF Detalhes do produto

Description

Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The SOT-223 package is designed for surface-mount using vapor phase, infra red, or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heatsinking. Power dissipation of grreater than 1.25W is possible in a typical surface mount application.



● Surface Mount

● Available in Tape & Reel

● Dynamic dv/dt Rating

● Repetitive Avalanche Rated

● P-Channel

● Fast Switching

● Ease of Paralleling

● Lead-Free



 




Nº de peça semelhante - IRFL9110PBF

Fabricante ElectrônicoNome de PeçasFolha de dadosDescrição Electrónicos
logo
Vishay Siliconix		 IRFL9110PBF VISHAY-IRFL9110PBF Datasheet
1Mb / 8P		 Power MOSFET
07-Jul-08
More results


Descrição semelhante - IRFL9110PBF

Fabricante ElectrônicoNome de PeçasFolha de dadosDescrição Electrónicos
logo
International Rectifier		 IRFL9110 IRF-IRFL9110 Datasheet
171Kb / 6P		 Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-1.1A)
IRF1407SPBF IRF-IRF1407SPBF Datasheet
258Kb / 12P		 HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 75V , RDS(on) = 0.0078廓 , ID = 100A )
IRFR4104PBF IRF-IRFR4104PBF Datasheet
273Kb / 12P		 HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 40V , RDS(on) = 5.5m廓 , ID = 42A )
IRFD9110PBF IRF-IRFD9110PBF Datasheet
1Mb / 8P		 HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on) = 1.2廓 , ID = -0.70A )
IRF3710SPBF IRF-IRF3710SPBF Datasheet
279Kb / 11P		 HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 23m廓 , ID = 57A )
IRFR5305PBF IRF-IRFR5305PBF Datasheet
248Kb / 11P		 HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = -55V , RDS(on) = 0.065廓 , ID = -31A )
IRFP054VPBF IRF-IRFP054VPBF Datasheet
176Kb / 9P		 HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 9.0m廓 , ID = 93A )
IRFZ44VZPBF IRF-IRFZ44VZPBF Datasheet
355Kb / 13P		 HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 60V , RDS(on) = 12m廓 , ID = 57A )
IRFL4310PBF IRF-IRFL4310PBF Datasheet
662Kb / 9P		 HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 100V , RDS(on) = 0.20廓 , ID = 1.6A )
IRF1405ZS-7PPBF IRF-IRF1405ZS-7PPBF Datasheet
696Kb / 12P		 HEXFET짰 Power MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = 4.9m廓 , ID = 120A )
More results




Sobre a International Rectifier

O International Retificer (IR) era uma empresa americana especializada no design e fabricação de semicondutores de gerenciamento e controle de energia.
A empresa foi fundada em 1947 e estava sediada em El Segundo, Califórnia.
O IR forneceu uma ampla gama de produtos, incluindo ICs de gerenciamento de energia, MOSFETs de energia, IGBTS e outros produtos de controle de energia.
Os produtos da empresa foram usados ​​em várias aplicações, como computação, telecomunicações e automação industrial.
A IR era conhecida por sua experiência em gerenciamento de energia e tecnologia de controle e sua capacidade de fornecer produtos de alta qualidade e confiáveis ​​aos seus clientes.
Em 2014, a RI foi adquirida pela Infineon Technologies, uma provedora líder de produtos de gerenciamento e controle de energia e outras soluções de semicondutores.
A marca de retificador internacional não está mais em uso, mas sua tecnologia e produtos continuam fazendo parte do portfólio da Infineon.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.




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