IRF7353D2PBF Folha de dados(PDF) - International Rectifier

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

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MOSFET / Schottky Diode (VDSS = 30V , RDS(on) = 0.029廓 , Schottky VF = 0.52V)

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Fabricante Electrônico	IRF [International Rectifier]

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Descrição Electrónicos	MOSFET / Schottky Diode (VDSS = 30V , RDS(on) = 0.029廓 , Schottky VF = 0.52V)

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IRF7353D2PBF Detalhes do produto

Description
The FETKY™ family of Co-Pack HEXFET® Power MOSFETs and Schottky diodes offers the designer an innovative, board space saving solution for switching regulator and power management applications. Generation 5 HEXFET power MOSFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Combinining this technology with International Rectifiers low forward drop Schottky rectifiers results in an extremely efficient device suitable for use in a wide variety of portable electronics applications.
The SO-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced thermal characteristics. The SO-8 package is designed for vapor phase, infrared or wave soldering techniques.

● Co-Pack HEXFET® Power MOSFET and
Schottky Diode
● Ideal For Buck Regulator Applications
● N-Channel HEXFET power MOSFET
● Low VF Schottky Rectifier
● Generation 5 Technology
● SO-8 Footprint
● Lead-Free

Nº de peça semelhante - IRF7353D2PBF

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRF7353D2	128Kb / 8P	FETKY MOSFET / Schottky Diode

Descrição semelhante - IRF7353D2PBF

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
International Rectifier	IRF7526D1	120Kb / 8P	FETKY??MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-30V, Rds(on)=0.20ohm, Schottky Vf=0.39V)
	IRF7523D1	204Kb / 8P	FETKY??MOSFET / Schottky Diode(Vdss=30V, Rds(on)=0.11ohm, Schottky Vf=0.39V)
	IRF7322D1	174Kb / 8P	MOSFET Schottky Diode ( VDSS = -20V , RDS(on) = 0.058W , Schottky Vf = 0.39V )
	IRF7534D1	106Kb / 8P	FETKY MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-20V, Rds(on)=0.055ohm, Schottky Vf=0.39V)
	IRF7524D1	151Kb / 8P	FETKY??MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-20V, Rds(on)=0.27ohm, Schottky Vf=0.39V)
	IRF7521D1	177Kb / 8P	FETKY??MOSFET / Schottky Diode(Vdss=20V, Rds(on)=0.135ohm, Schottky Vf=0.39V)
	IRF7303PBF	230Kb / 9P	HEXFET Power MOSFET (VDSS = 30V , RDS(on) = 0.050廓 )
AiT Semiconductor Inc.	BAT54W	454Kb / 5P	SCHOTTKY DIODE 0.52V/200mA 30V/0.5uA REV1.0
AiT Semiconductor Inc.	BAT54CW	445Kb / 5P	SCHOTTKY DIODE 0.52V/200mA 30V/0.5uA REV1.0
International Rectifier	IRF5803D2	127Kb / 11P	FETKY??MOSFET & Schottky Diode(Vdss=-40V, Rds(on)=112ohm)

Sobre a International Rectifier

O International Retificer (IR) era uma empresa americana especializada no design e fabricação de semicondutores de gerenciamento e controle de energia.
A empresa foi fundada em 1947 e estava sediada em El Segundo, Califórnia.
O IR forneceu uma ampla gama de produtos, incluindo ICs de gerenciamento de energia, MOSFETs de energia, IGBTS e outros produtos de controle de energia.
Os produtos da empresa foram usados em várias aplicações, como computação, telecomunicações e automação industrial.
A IR era conhecida por sua experiência em gerenciamento de energia e tecnologia de controle e sua capacidade de fornecer produtos de alta qualidade e confiáveis aos seus clientes.
Em 2014, a RI foi adquirida pela Infineon Technologies, uma provedora líder de produtos de gerenciamento e controle de energia e outras soluções de semicondutores.
A marca de retificador internacional não está mais em uso, mas sua tecnologia e produtos continuam fazendo parte do portfólio da Infineon.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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