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SCT025W120G3AG Folha de dados (PDF) - STMicroelectronics
SCT025W120G3AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
Nome de Peças SCT025W120G3AG
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Fabricante Electrônico  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Página de início  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Descrição Electrónicos Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mΩ typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG Datasheet (PDF)

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SCT025W120G3AG Datasheet PDF - STMicroelectronics

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Fabricante Electrônico  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Página de início  http://www.st.com
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Descrição Electrónicos Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mΩ typ., 56 A in an HiP247 package

SCT025W120G3AG Folha de dados (HTML) - STMicroelectronics


SCT025W120G3AG Detalhes do produto

Features
• AEC-Q101 qualified
• Very low RDS(on) over the entire temperature range
• High speed switching performances
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)

Applications
• Main inverter (electric traction)
• DC/DC converter for EV/HEV
• On board charger (OBC)




Nº de peça semelhante - SCT025W120G3AG

Fabricante ElectrônicoNome de PeçasFolha de dadosDescrição Electrónicos
logo
STMicroelectronics		 SCT025W120G3-4AG STMICROELECTRONICS-SCT025W120G3-4AG Datasheet
1Mb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mΩ typ., 56 A in an HiP247-4 package
15-Nov-2024
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Descrição semelhante - SCT025W120G3AG

Fabricante ElectrônicoNome de PeçasFolha de dadosDescrição Electrónicos
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STMicroelectronics		 SCTW40N120G2V STMICROELECTRONICS-SCTW40N120G2V Datasheet
205Kb / 12P		 Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mΩ typ., 36 A in an HiP247 package
09-Jun-2021
SCTW100N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW100N120G2AG Datasheet
217Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A,30 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247 package
23-Jul-2020
SCTW35N65G2VAG STMICROELECTRONICS-SCTW35N65G2VAG Datasheet
206Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
09-Sep-2020
SCTW60N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW60N120G2AG Datasheet
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18-May-2020
SCTWA40N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTWA40N120G2AG Datasheet
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22-Nov-2021
SCTWA60N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTWA60N120G2AG Datasheet
242Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mΩ typ., 52 A in an HiP247 long leads package
16-Dec-2020
SCT025H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT025H120G3AG Datasheet
369Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package
28-Nov-2022
SCT070H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT070H120G3AG Datasheet
396Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package
04-Apr-2023
SCT10N120AG STMICROELECTRONICS-SCT10N120AG Datasheet
238Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mΩ (typ., TJ = 150 °C) in an HiP247 package
21-Sep-2022
SCTH60N120G2-7AG STMICROELECTRONICS-SCTH60N120G2-7AG Datasheet
356Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package
02-Aug-2021
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Sobre a STMicroelectronics

A STMicroelectronics é um fabricante multinacional de eletrônicos e semicondutores com sede em Genebra, Suíça.

A empresa oferece uma ampla gama de produtos, incluindo microcontroladores, sensores, amplificadores de energia e circuitos integrados para várias aplicações nos mercados automotivo, industrial e de consumo.

Fundada em 1987, a STMicroelectronics possui operações em mais de 100 países e é uma das maiores empresas de semicondutores do mundo.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.




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