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SCT040HU65G3AG Folha de dados (PDF) - STMicroelectronics
SCT040HU65G3AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
Nome de Peças SCT040HU65G3AG
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Fabricante Electrônico  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Página de início  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Descrição Electrónicos Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mΩ typ., 30 A in an HU3PAK package

SCT040HU65G3AG Datasheet (PDF)

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SCT040HU65G3AG Datasheet PDF - STMicroelectronics

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Descrição Electrónicos Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mΩ typ., 30 A in an HU3PAK package

SCT040HU65G3AG Folha de dados (HTML) - STMicroelectronics


SCT040HU65G3AG Detalhes do produto

Features
• AEC-Q101 qualified
• Very low RDS(on) over the entire temperature range
• High speed switching performances
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Source sensing pin for increased efficiency

Applications
• Main inverter (electric traction)
• DC/DC converter for EV/HEV
• On board charger (OBC)




Nº de peça semelhante - SCT040HU65G3AG

Fabricante ElectrônicoNome de PeçasFolha de dadosDescrição Electrónicos
logo
STMicroelectronics		 SCT040HU120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT040HU120G3AG Datasheet
623Kb / 15P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mΩ typ., 40 A in an HU3PAK package
16-Sep-2024
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STMicroelectronics		 SCT040H65G3SAG STMICROELECTRONICS-SCT040H65G3SAG Datasheet
227Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 m typ., 30 A in an H2PAK-7 straight leads package
14-Feb-2022
SCTH35N65G2V-7AG STMICROELECTRONICS-SCTH35N65G2V-7AG Datasheet
620Kb / 15P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET, 650 V, 45 A,55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an H2PAK-7 package
24-Jan-2020
SCTW100N65G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW100N65G2AG Datasheet
423Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A,20 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247™ package
21-Nov-2018
SCTW100N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW100N120G2AG Datasheet
217Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A,30 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247 package
23-Jul-2020
SCTW35N65G2VAG STMICROELECTRONICS-SCTW35N65G2VAG Datasheet
206Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
09-Sep-2020
SCT018H65G3AG STMICROELECTRONICS-SCT018H65G3AG Datasheet
390Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mΩ typ., 55 A in an H²PAK-7 package
07-Oct-2022
SCT040H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT040H120G3AG Datasheet
386Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mΩ typ., 40 A in an H²PAK-7 package
14-Oct-2022
SCT040H65G3AG STMICROELECTRONICS-SCT040H65G3AG Datasheet
389Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package
21-Jan-2022
SCT070H120G3AG STMICROELECTRONICS-SCT070H120G3AG Datasheet
396Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mΩ typ., 30 A in an H²PAK-7 package
04-Apr-2023
SCTHS250N65G3 STMICROELECTRONICS-SCTHS250N65G3 Datasheet
301Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 6.7 mΩ typ., 207 A in a STPAK package
05-Oct-2022
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Sobre a STMicroelectronics

A STMicroelectronics é um fabricante multinacional de eletrônicos e semicondutores com sede em Genebra, Suíça.

A empresa oferece uma ampla gama de produtos, incluindo microcontroladores, sensores, amplificadores de energia e circuitos integrados para várias aplicações nos mercados automotivo, industrial e de consumo.

Fundada em 1987, a STMicroelectronics possui operações em mais de 100 países e é uma das maiores empresas de semicondutores do mundo.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.




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