APT8024LFLL Folha de dados(PDF) - Microsemi Corporation

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APT8024LFLL Folha de dados (PDF) - Microsemi Corporation

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Fabricante Electrônico	MICROSEMI [Microsemi Corporation]

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Descrição Electrónicos

Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.

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Fabricante Electrônico	MICROSEMI [Microsemi Corporation]

Página de início	http://www.microsemi.com

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Descrição Electrónicos	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.

APT8024LFLL Folha de dados (HTML) - Microsemi Corporation

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APT8024LFLL Detalhes do produto

Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON) and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses along with exceptionally fast switching speeds inherent with APTs patented metal gate structure.

• Lower Input Capacitance
• Increased Power Dissipation
• Lower Miller Capacitance
• Easier To Drive
• Lower Gate Charge, Qg
• Popular T-MAX™ or TO-264 Package
• FAST RECOVERY BODY DIODE

Nº de peça semelhante - APT8024LFLL

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Advanced Power Technolo...	APT8024LFLL	71Kb / 2P	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
Microsemi Corporation	APT8024LFLL	252Kb / 5P	POWER MOS 7 FREDFET
Inchange Semiconductor ...	APT8024LFLL	328Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

Descrição semelhante - APT8024LFLL

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Advanced Power Technolo...	APT10026L2FLL	65Kb / 2P	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
	APT10035B2LL	69Kb / 2P	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
	APT1201R4BLL	69Kb / 2P	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
	APT12067JLL	69Kb / 2P	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
	APT20M10JLL	69Kb / 2P	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
	APT20M20B2LL	69Kb / 2P	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
	APT6017JFLL	166Kb / 5P	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
	APT8043BLL	163Kb / 5P	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
	APT10026L2FLL	105Kb / 5P	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
Microsemi Corporation	APT6010B2LL	257Kb / 5P	Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.

Sobre a Microsemi Corporation

A Microsemi Corporation era uma empresa americana especializada no design e fabricação de soluções de semicondutores e sistemas.
A empresa foi fundada em 1960 e estava sediada em Aliso Viejo, Califórnia.
A Microsemi forneceu uma ampla gama de produtos, incluindo circuitos integrados analógicos e de sinal misto, matrizes de portões programáveis em campo (FPGAs), gerenciamento de energia e produtos de controle e outras soluções de semicondutores.
Os produtos da empresa foram usados em várias aplicações, como defesa e segurança, aeroespacial e aviação, industrial e comunicação.
A Microsemi era conhecida por sua experiência em tecnologia de semicondutores e sua capacidade de fornecer produtos de alta qualidade e confiáveis aos seus clientes.
Em 2018, a Microsemi foi adquirida pela Microchip Technology, fornecedora líder de microcontrolador, produtos de sinal misto, analógico e de segurança.
A marca Microsemi não está mais em uso, mas sua tecnologia e produtos continuam fazendo parte do portfólio da Microchip.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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