NTDS015N15MCT4G Folha de dados(PDF) - BYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

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NTDS015N15MCT4G Detalhes do produto

Features
 VDS= 150V, ID= 50 A
RDS(ON) < 19 mΩ @ VGS = 10V
RDS(ON) < 22 mΩ @ VGS =4.5V

General Features
● Advanced Trench Technology
● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate
Charge
● Lead Free and Green Available

Nº de peça semelhante - NTDS015N15MCT4G

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
ON Semiconductor	NTDS015N15MCT4G	148Kb / 6P	MOSFET - N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 15 m, 50 A May, 2020 ??Rev. 2

Descrição semelhante - NTDS015N15MCT4G

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
GTM CORPORATION	G2N7002K	368Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	G111K	366Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	G138	324Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	G301K	296Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	G2304A	371Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	G2308E	330Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	GE20N03	296Kb / 5P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	GE40N03	251Kb / 5P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	GE50L02	258Kb / 5P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	GE70N03	299Kb / 5P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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