FDD86102LZ Folha de dados(PDF) - BYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

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FDD86102LZ Detalhes do produto

Features
 VDS= 100V, ID= 40 A
RDS(ON) < 17mΩ @ VGS = 10V
RDS(ON) < 22 mΩ @ VGS =4.5V

General Features
● Advanced Trench Technology
● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate
Charge
● Lead Free and Green Available

Nº de peça semelhante - FDD86102LZ

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Diodes Incorporated	FDD86102LZ	372Kb / 6P	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 m廓 Rev C1
Inchange Semiconductor ...	FDD86102LZ	282Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
VBsemi Electronics Co.,...	FDD86102LZ	960Kb / 8P	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
Fairchild Semiconductor	FDD86102LZ	372Kb / 6P	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 m廓
Fairchild Semiconductor	FDD86102LZ	372Kb / 6P	N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 35 A, 22.5 m廓

Descrição semelhante - FDD86102LZ

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
GTM CORPORATION	G2N7002K	368Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	G111K	366Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	G138	324Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	G301K	296Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	G2304A	371Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	G2308E	330Kb / 4P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	GE20N03	296Kb / 5P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	GE40N03	251Kb / 5P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	GE50L02	258Kb / 5P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
	GE70N03	299Kb / 5P	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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