NE5517D Folha de dados(PDF) - NXP Semiconductors

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NE5517D Folha de dados (PDF) - NXP Semiconductors

NE5517D Datasheet PDF - NXP Semiconductors


Nome de Peças	NE5517D

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Fabricante Electrônico	PHILIPS [NXP Semiconductors]

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Descrição Electrónicos

Dual operational transconductance amplifier

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Descrição Electrónicos	Dual operational transconductance amplifier

NE5517D Folha de dados (HTML) - NXP Semiconductors

NE5517D Detalhes do produto

DESCRIPTION
The AU5517 and NE5517 contain two current-controlled transconductance amplifiers, each with a differential input and push-pull output. The AU5517/NE5517 offers significant design and performance advantages over similar devices for all types of programmable gain applications. Circuit performance is enhanced through the use of linearizing diodes at the inputs which enable a 10 dB signal-to-noise improvement referenced to 0.5% THD. The AU5517/NE5517 is suited for a wide variety of industrial and consumer applications

FEATURES
• Constant impedance buffers
• ∆VBE of buffer is constant with amplifier IBIAS change
• Excellent matching between amplifiers
• Linearizing diodes
• High output signal-to-noise ratio

APPLICATIONS
• Multiplexers
• Timers
• Electronic music synthesizers
• Dolby HX Systems
• Current-controlled amplifiers, filters
• Current-controlled oscillators, impedances

Nº de peça semelhante - NE5517D

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
NXP Semiconductors	NE5517D	193Kb / 18P	Dual operational transconductance amplifier 2002 Dec 06
ON Semiconductor	NE5517D	187Kb / 14P	Dual Operational Transconductance Amplifier April, 2006 ??Rev. 3
	NE5517D	183Kb / 15P	Dual Operational Transconductance Amplifier June, 2013 ??Rev. 4
	NE5517DG	187Kb / 14P	Dual Operational Transconductance Amplifier April, 2006 ??Rev. 3
	NE5517DG	183Kb / 15P	Dual Operational Transconductance Amplifier June, 2013 ??Rev. 4

Descrição semelhante - NE5517D

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
New Japan Radio	NJM13600	294Kb / 7P	DUAL OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER???
National Semiconductor ...	LM3080	188Kb / 6P	Operational Transconductance Amplifier
Burr-Brown (TI)	OPA2662	328Kb / 18P	Dual, Wide Bandwidth OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER
Intersil Corporation	CA3280	286Kb / 10P	Dual, 9MHz, Operational Transconductance Amplifier (OTA) September 1998
NXP Semiconductors	NE5517	193Kb / 18P	Dual operational transconductance amplifier 2002 Dec 06
ON Semiconductor	NE5517	187Kb / 14P	Dual Operational Transconductance Amplifier April, 2006 ??Rev. 3
Intersil Corporation	CA3280	393Kb / 10P	Dual, 9MHz, Operational Transconductance Amplifier (OTA) May 2002
ON Semiconductor	NE5517	183Kb / 15P	Dual Operational Transconductance Amplifier June, 2013 ??Rev. 4
Renesas Technology Corp	CA3280	644Kb / 10P	Dual, 9MHz, Operational Transconductance Amplifier (OTA)
JSC ALFA.	AS3280	457Kb / 4P	Dual Operational Transconductance Amplifier (OTA)

Sobre a NXP Semiconductors

Os semicondutores da NXP são uma empresa multinacional de capital aberto que projeta, desenvolve e fabrica uma ampla gama de semicondutores e circuitos integrados para várias aplicações, incluindo mercados automotivos, industriais, de comunicação e consumidores.
A empresa foi fundada em 2006 e está sediada em Eindhoven, Holanda.
A NXP oferece um amplo portfólio de produtos, incluindo microcontroladores, microprocessadores, ICs de autenticação segura, ICS de gerenciamento de energia, componentes de RF e microondas e soluções de sensor, entre outros.
Os produtos da empresa são projetados para serem eficientes em energia, seguros e confiáveis, e são usados em uma variedade de aplicações, incluindo sistemas automotivos, automação e controle industrial, casas e edifícios inteligentes e dispositivos conectados.
A NXP é dedicada à inovação e à satisfação do cliente e está comprometida em fornecer a seus clientes as melhores soluções de semicondutores para atender às suas necessidades.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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