NTH4L040N120SC1 Folha de dados(PDF) - ON Semiconductor

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NTH4L040N120SC1 Folha de dados (PDF) - ON Semiconductor

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Fabricante Electrônico	ONSEMI [ON Semiconductor]

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Descrição Electrónicos

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40mohm, 1200V, M1, TO-247-4L

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Fabricante Electrônico	ONSEMI [ON Semiconductor]

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NTH4L040N120SC1 Detalhes do produto

Features
• Typ. RDS(on) = 40 m
• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 106 nC)
• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 137 pF)
• 100% Avalanche Tested
• TJ = 175°C
• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,
Pb−Free 2LI (on second level interconnection)
Typical Applications
• UPS
• DC-DC Converter
• Boost Inverter

Nº de peça semelhante - NTH4L040N120SC1

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
ON Semiconductor	NTH4L040N120SC1	282Kb / 8P	MOSFET ??SiC Power, Single N-Channel, TO247-4L 1200 V, 40 m, 58 A April, 2020 ??Rev. 1
ON Semiconductor	NTH4L040N120SC1	360Kb / 8P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L May, 2022 - Rev. 3
Inchange Semiconductor ...	NTH4L040N120SC1	361Kb / 3P	SiC N-Channel MOSFET
ON Semiconductor	NTH4L040N120SC1	360Kb / 8P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L May, 2022 - Rev. 3

Descrição semelhante - NTH4L040N120SC1

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
ON Semiconductor	NTH4L040N120SC1	360Kb / 8P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L May, 2022 - Rev. 3
	NTH4L080N120SC1	409Kb / 8P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 80 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L May, 2022 - Rev. 2
	NTH4L020N120SC1	362Kb / 8P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 20 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L May, 2022 - Rev. 4
	NTBG040N120SC1	330Kb / 8P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40mohm, 1200V, M1, D2PAK-7 January, 2023 - Rev. 3
	NTH4L020N120SC1	362Kb / 8P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 20mohm, 1200V, M1, TO-247-4L January, 2023 - Rev. 5
	NTH4L080N120SC1	411Kb / 8P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 80mohm, 1200V, M1, TO-247-4L January, 2023 - Rev. 3
	NTH4L160N120SC1	357Kb / 8P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 160mohm, 1200V, M1, TO-247-4L January, 2023 - Rev. 5
	NTHL040N120SC1	313Kb / 7P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40mohm, 1200V, M1, TO-247-3L January, 2023 - Rev. 4
	NTHL020N120SC1	304Kb / 7P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 20mohm, 1200V, M1, TO-247-3L January, 2023 - Rev. 3
	NVH4L160N120SC1	358Kb / 8P	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 160 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L May, 2022 - Rev. 4

Sobre a ON Semiconductor

ON Semiconductor, é uma empresa de capital aberto que projeta, desenvolve e fabrica uma ampla gama de produtos de semicondutores para uma variedade de aplicações, incluindo mercados automotivos, computadores, bens de consumo, industrial e comunicação.
A empresa foi fundada em 1999 e está sediada em Phoenix, Arizona.
No semicondutor, oferece um amplo portfólio de gerenciamento de energia, semicondutores analógicos e discretos, incluindo MOSFETs de energia, diodos, retificadores, reguladores de tensão, entre outros.
Os produtos da empresa são projetados para serem eficientes em energia, confiáveis e econômicos e são usados em uma variedade de aplicações, incluindo eletrônicos portáteis, sistemas de automação industrial, sistemas de energia renovável e eletrônicos automotivos.
No semicondutor, está comprometido com a inovação e a satisfação do cliente e está comprometido em fornecer as melhores soluções de semicondutores para atender às necessidades de nossos clientes .

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