2SD313 Folha de dados(PDF) - Nanjing International Group Co

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2SD313 Folha de dados (PDF) - Nanjing International Group Co

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2SD313 Detalhes do produto

FEATURES
Low Collector-Emitter Saturation Voltage
Vce(sat)=1V(MAX)@IC=2A,IB=0.2A
DC Current Gain hFE=40~320@IC=1A
Complementray to PNP 2SB507

Nº de peça semelhante - 2SD313

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Mospec Semiconductor	2SD313	115Kb / 3P	POWER TRANSISTORS(3A,60V,30W)
Wing Shing Computer Com...	2SD313	30Kb / 1P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER)
Sanyo Semicon Device	2SD313	42Kb / 1P	PLANAR TYPE SILICON TRANSISTOR FOR AF POWER AMPLIFIER USE
Unisonic Technologies	2SD313	49Kb / 4P	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
TRANSYS Electronics Lim...	2SD313	54Kb / 1P	Plastic-Encapsulate Transistors

Descrição semelhante - 2SD313

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Nanjing International G...	TIP127	1Mb / 2P	TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors
Jiangsu Changjiang Elec...	2SB507	361Kb / 2P	TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors
	2SB861	1Mb / 3P	TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors
	2SB1185	549Kb / 2P	TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors
	2SD2137	624Kb / 2P	TO-220 -3L Plastic-Encapsulate Transistors
	2SD2137A	570Kb / 2P	TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors
	2SA1012	3Mb / 3P	TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors
	TIP42	1Mb / 3P	TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors
Nanjing International G...	TIP147	1Mb / 4P	TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors
Nanjing International G...	2SB1185	1Mb / 3P	TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors

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