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STG200G65FD8AG Folha de dados (PDF) - STMicroelectronics
STG200G65FD8AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
Nome de Peças STG200G65FD8AG
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Fabricante Electrônico  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Página de início  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Descrição Electrónicos Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 200 A, high-efficiency M series IGBT die in D8 packing

STG200G65FD8AG Datasheet (PDF)

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STG200G65FD8AG Datasheet PDF - STMicroelectronics

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Fabricante Electrônico  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Descrição Electrónicos Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 200 A, high-efficiency M series IGBT die in D8 packing

STG200G65FD8AG Folha de dados (HTML) - STMicroelectronics


STG200G65FD8AG Detalhes do produto

Features
• AEC-Q101 qualified
• Low-loss series IGBT
• Low VCE(sat) = 1.52 V (typ.) at IC = 200 A
• Positive VCE(sat) temperature coefficient
• Tight parameter distribution
• Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

Applications
• EV/HEV traction inverters

Description
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop
structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal
balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and
the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat)
temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling
operation.




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Sobre a STMicroelectronics

A STMicroelectronics é um fabricante multinacional de eletrônicos e semicondutores com sede em Genebra, Suíça.

A empresa oferece uma ampla gama de produtos, incluindo microcontroladores, sensores, amplificadores de energia e circuitos integrados para várias aplicações nos mercados automotivo, industrial e de consumo.

Fundada em 1987, a STMicroelectronics possui operações em mais de 100 países e é uma das maiores empresas de semicondutores do mundo.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.




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