MRF18030BLR3 Folha de dados(PDF) - Freescale Semiconductor, Inc

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MRF18030BLR3 Folha de dados (PDF) - Freescale Semiconductor, Inc

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Fabricante Electrônico	FREESCALE [Freescale Semiconductor, Inc]

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Descrição Electrónicos

RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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Fabricante Electrônico	FREESCALE [Freescale Semiconductor, Inc]

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Descrição Electrónicos	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

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MRF18030BLR3 Detalhes do produto

RF Power Field Effect Transistors
N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs

Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for FM, TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications. Specified for GSM 1930-1990 MHz.

• Typical GSM Performance:
Power Gain - 14 dB (Typ) @ 30 Watts
Efficiency - 50% (Typ) @ 30 Watts
• Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 26 Vdc, 30 Watts CW Output Power

Features
• Internally Matched for Ease of Use
• High Gain, High Efficiency and High Linearity
• Integrated ESD Protection
• Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness
• Excellent Thermal Stability
• Low Gold Plating Thickness on Leads, 40μ″ Nominal.
• RoHS Compliant
• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units per 32 mm,13 inch Reel.

Nº de peça semelhante - MRF18030BLR3

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Motorola, Inc	MRF18030BR3	275Kb / 8P	THE RF MOSFET LINE RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE LATERAL MOSFETS
Motorola, Inc	MRF18030BSR3	275Kb / 8P	THE RF MOSFET LINE RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS N - CHANNEL ENHANCEMENT - MODE LATERAL MOSFETS

Descrição semelhante - MRF18030BLR3

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Freescale Semiconductor...	MRF1550NT1	288Kb / 13P	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
	MRF6S23140HR3	434Kb / 12P	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
	MRF6S19140HR3	404Kb / 11P	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
	MRF6V2300NR1	522Kb / 14P	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
	MRF6S18100NR1	701Kb / 20P	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
	MRF1535NT1	662Kb / 19P	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
	MRF5S19150HR3	439Kb / 12P	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
	MRF9045LR1	397Kb / 11P	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
	MRF8S9100HR3	300Kb / 14P	RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
	MRF6V4300NBR5	822Kb / 15P	RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs

Sobre a Freescale Semiconductor, Inc

A Freescale Semiconductor era uma empresa de semicondutores americana que foi fundada em 1948.
A empresa era provedora líder de microcontroladores, sensores e outros produtos semicondutores para várias aplicações nos mercados automotivo, industrial e de consumo.
Os produtos da Freescale eram conhecidos por seu alto desempenho, baixo consumo de energia e pequeno fator de forma.
A empresa foi adquirida pelos semicondutores da NXP em 2015, e seus produtos e tecnologias continuam sendo desenvolvidos e vendidos sob a marca NXP.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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