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NE4211M01 Folha de dados (PDF) - Renesas Technology Corp
NE4211M01 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp
Nome de Peças NE4211M01
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página   10 Pages
Fabricante Electrônico  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Página de início  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
Descrição Electrónicos HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

NE4211M01 Datasheet (PDF)

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NE4211M01 Datasheet PDF - Renesas Technology Corp

Nome de Peças NE4211M01
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página   10 Pages
Fabricante Electrônico  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Página de início  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp
Descrição Electrónicos HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

NE4211M01 Folha de dados (HTML) - Renesas Technology Corp


NE4211M01 Detalhes do produto

FEATURES
• Super low noise figure & associated gain:
NF = 0.75 TYP., Ga = 12 dB TYP. @ f = 12 GHz
NF = 0.4 TYP., Ga = 16 dB TYP. @ f = 4 GHz
• 6-pin super minimold package
• Gate width: Wg = 160 mm




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NEC		 NE4210M01 NEC-NE4210M01 Datasheet
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logo
Renesas Technology Corp		 NE4210M01 RENESAS-NE4210M01 Datasheet
193Kb / 14P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
1998
logo
NEC		 NE4210M01-T1 NEC-NE4210M01-T1 Datasheet
79Kb / 12P		 C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
logo
Renesas Technology Corp		 NE4210M01-T1 RENESAS-NE4210M01-T1 Datasheet
193Kb / 14P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
1998
logo
NEC		 NE4210S01 NEC-NE4210S01 Datasheet
65Kb / 16P		 X to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
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NE3514S02 CEL-NE3514S02_13 Datasheet
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NE3515S02-A CEL-NE3515S02-A Datasheet
415Kb / 9P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
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Renesas Technology Corp		 NE3210S01 RENESAS-NE3210S01 Datasheet
197Kb / 18P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
1999
NE32484A RENESAS-NE32484A Datasheet
195Kb / 14P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
1991
NE32500 RENESAS-NE32500 Datasheet
199Kb / 10P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
1996
NE32900 RENESAS-NE32900 Datasheet
181Kb / 10P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
1997
NE34018 RENESAS-NE34018 Datasheet
250Kb / 18P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
2000
NE38018 RENESAS-NE38018 Datasheet
236Kb / 13P		 Hetero Junction Field Effect transistor
2003
NE21283A RENESAS-NE21283A Datasheet
718Kb / 12P		 HETERO JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR
1990
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Sobre a Renesas Technology Corp

A Renesas Technology Corp é uma empresa de semicondutores japoneses que fornece uma ampla gama de microcontroladores, sistemas em chips e dispositivos analógicos e de energia para várias aplicações nos mercados automotivo, industrial e de consumidores.
A empresa foi formada em 2010 através da fusão da NEC Electronics Corporation e da Renesas Technology Corporation.
O Renesas é um dos maiores fornecedores de microcontroladores do mundo e é conhecido por sua experiência no desenvolvimento de tecnologias avançadas em áreas como a Internet das Coisas (IoT), Inteligência Artificial (AI) e eletrônica automotiva.
A empresa possui operações em mais de 20 países e seus produtos são usados ​​em uma ampla gama de aplicações.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.




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