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ST450-50L2KI Folha de dados (PDF) - Vishay Siliconix
ST450-50L2KI Datasheet PDF - Vishay Siliconix
Nome de Peças ST450-50L2KI
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Fabricante Electrônico  VISHAY [Vishay Siliconix]
Página de início  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix
Descrição Electrónicos SuperTan® Wet Tantalum Capacitors With Hermetic Seal

ST450-50L2KI Datasheet (PDF)

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Fabricante Electrônico  VISHAY [Vishay Siliconix]
Página de início  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix
Descrição Electrónicos SuperTan® Wet Tantalum Capacitors With Hermetic Seal

ST450-50L2KI Folha de dados (HTML) - Vishay Siliconix


ST450-50L2KI Detalhes do produto

FEATURES
• Very high capacitance
• 10 μF to 2200 μF
• 25 VDC to 125 VDC
• Very low ESR
• High ripple current
• All tantalum case
• Hermetically sealed
• Low DCL
• Axial through-hole terminations: standard tin / lead (Sn / Pb),
100 % tin (RoHS-compliant) available
• Material categorization: for definitions of compliance
please see www.vishay.com/doc?99912




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Sobre a Vishay Siliconix

Vishay Siliconix é uma subsidiária da Vishay Intertechnology, fabricante global de componentes eletrônicos passivos.
Vishay Siliconix é especializado no design, fabricação e marketing de MOSFETS, IGBTS e outros semicondutores de energia.
A empresa foi fundada em 1962 e está sediada em Santa Clara, Califórnia.
O Vishay Siliconix fornece soluções de energia para uma variedade de aplicações, incluindo sistemas de energia renovável, equipamentos industriais, computação e telecomunicações e eletrônicos automotivos.
Os produtos da empresa são projetados para alta eficiência, baixo consumo de energia e alta confiabilidade e são fabricados em instalações de última geração usando processos avançados de fabricação.
Com foco na inovação e satisfação do cliente, a Vishay Siliconix está comprometida em fornecer a seus clientes as melhores soluções de gerenciamento de energia para atender às suas necessidades.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.




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