TPN2010FNH Folha de dados(PDF)

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TPN2010FNH Folha de dados (PDF) - Toshiba Semiconductor

TPN2010FNH Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor


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Fabricante Electrônico	TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

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MOSFETs Silicon N-channel MOS

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Descrição Electrónicos	MOSFETs Silicon N-channel MOS

TPN2010FNH Folha de dados (HTML) - Toshiba Semiconductor

TPN2010FNH Detalhes do produto

Applications
• High-Efficiency DC-DC Converters
• Switching Voltage Regulators

Features
(1) High-speed switching
(2) Small gate charge: QSW = 2.6 nC (typ.)
(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 168 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)
(4) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 250 V)
(5) Enhancement mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.2 mA)

Nº de peça semelhante - TPN2010FNH

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Toshiba Semiconductor	TPN22006NH	231Kb / 9P	Switching Voltage Regulators Motor Drivers DC-DC Converters
GREATECS	TPN2BN01RGUG	325Kb / 1P	SPST THT Tactile Switches with LED
	TPN2BN01UGUG	325Kb / 1P	SPST THT Tactile Switches with LED
	TPN2BN02RGUG	325Kb / 1P	SPST THT Tactile Switches with LED
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	TK12A65D	268Kb / 9P	MOSFETs Silicon N-Channel MOS (?-MOS??
	TK70J20D	231Kb / 9P	MOSFETs Silicon N-Channel MOS (?-MOS??
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	TK10A80E	225Kb / 9P	MOSFETs Silicon N-Channel MOS (?-MOS??

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