TPN11NL Folha de dados(PDF)

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TPN11NL Folha de dados (PDF) - Toshiba Semiconductor

TPN11NL Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor


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Fabricante Electrônico	TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

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Descrição Electrónicos

MOSFETs Silicon N-channel MOS

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Descrição Electrónicos	MOSFETs Silicon N-channel MOS

TPN11NL Folha de dados (HTML) - Toshiba Semiconductor

TPN11NL Detalhes do produto

Applications
• Switching Voltage Regulators
• DC-DC Converters

Features
(1) High-speed switching
(2) Small gate charge: QSW = 2.0 nC (typ.)
(3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 12.6 mΩ (typ.) (VGS = 4.5 V)
(4) Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V)
(5) Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.3 V (VDS = 10 V, ID = 0.1 mA)

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