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STB33N60DM6 Folha de dados (PDF) - STMicroelectronics
STB33N60DM6 Datasheet PDF - STMicroelectronics
Nome de Peças STB33N60DM6
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Fabricante Electrônico  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Descrição Electrónicos N-channel 600 V, 115 mΩ typ., 25 A, MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK package

STB33N60DM6 Datasheet (PDF)

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STB33N60DM6 Folha de dados (HTML) - STMicroelectronics


STB33N60DM6 Detalhes do produto

Features
• Fast-recovery body diode
• Lower RDS(on) per area vs previous generation
• Low gate charge, input capacitance and resistance
• 100% avalanche tested
• Extremely high dv/dt ruggedness
• Zener-protected

Applications
• Switching applications

Description
This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fastrecovery
diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6
combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent
improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors
available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and
ZVS phase-shift converters.




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Sobre a STMicroelectronics

A STMicroelectronics é um fabricante multinacional de eletrônicos e semicondutores com sede em Genebra, Suíça.

A empresa oferece uma ampla gama de produtos, incluindo microcontroladores, sensores, amplificadores de energia e circuitos integrados para várias aplicações nos mercados automotivo, industrial e de consumo.

Fundada em 1987, a STMicroelectronics possui operações em mais de 100 países e é uma das maiores empresas de semicondutores do mundo.

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