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VX80100PW Folha de dados (PDF) - Vishay Siliconix
VX80100PW Datasheet PDF - Vishay Siliconix
Nome de Peças VX80100PW
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Tamanho do Arquivo   133.37 Kbytes
página   5 Pages
Fabricante Electrônico  VISHAY [Vishay Siliconix]
Página de início  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix
Descrição Electrónicos Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 10 A

VX80100PW Datasheet (PDF)

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Fabricante Electrônico  VISHAY [Vishay Siliconix]
Página de início  http://www.vishay.com
Logo VISHAY - Vishay Siliconix
Descrição Electrónicos Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 10 A

VX80100PW Folha de dados (HTML) - Vishay Siliconix


VX80100PW Detalhes do produto

• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Solder bath temperature 275 °C maximum,
10 s per JESD 22-B106
• AEC-Q101 qualified available:
- Automotive ordering code: base P/NHM3




Nº de peça semelhante - VX80100PW

Fabricante ElectrônicoNome de PeçasFolha de dadosDescrição Electrónicos
logo
Vishay Siliconix		 VX80170PW VISHAY-VX80170PW Datasheet
128Kb / 5P		 Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 10 A
30-Oct-2020
VX80170PW-M3/P VISHAY-VX80170PW-M3/P Datasheet
128Kb / 5P		 Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 10 A
30-Oct-2020
VX80170PWHM3/P VISHAY-VX80170PWHM3/P Datasheet
128Kb / 5P		 Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 10 A
30-Oct-2020
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Descrição semelhante - VX80100PW

Fabricante ElectrônicoNome de PeçasFolha de dadosDescrição Electrónicos
logo
Vishay Siliconix		 V60120C VISHAY-V60120C Datasheet
142Kb / 5P		 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A
19-May-08
V80100P VISHAY-V80100P Datasheet
107Kb / 5P		 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.425 V at IF = 10 A
26-May-08
VF60120C VISHAY-VF60120C Datasheet
77Kb / 4P		 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A
07-Feb-11
V60H150PW-M3 VISHAY-V60H150PW-M3 Datasheet
94Kb / 4P		 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 10 A
04-Dec-13
V80H150PW-M3 VISHAY-V80H150PW-M3 Datasheet
94Kb / 4P		 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 10 A
04-Dec-13
V60170PW-M3 VISHAY-V60170PW-M3 Datasheet
94Kb / 4P		 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 10 A
04-Dec-13
V80170PW-M3 VISHAY-V80170PW-M3 Datasheet
94Kb / 4P		 Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.51 V at IF = 10 A
04-Dec-13
VT6045C-M3 VISHAY-VT6045C-M3 Datasheet
135Kb / 5P		 Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.33 V at IF = 10 A
15-Dec-16
V35PWM10 VISHAY-V35PWM10 Datasheet
123Kb / 5P		 High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A
01-Jun-17
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Sobre a Vishay Siliconix

Vishay Siliconix é uma subsidiária da Vishay Intertechnology, fabricante global de componentes eletrônicos passivos.
Vishay Siliconix é especializado no design, fabricação e marketing de MOSFETS, IGBTS e outros semicondutores de energia.
A empresa foi fundada em 1962 e está sediada em Santa Clara, Califórnia.
O Vishay Siliconix fornece soluções de energia para uma variedade de aplicações, incluindo sistemas de energia renovável, equipamentos industriais, computação e telecomunicações e eletrônicos automotivos.
Os produtos da empresa são projetados para alta eficiência, baixo consumo de energia e alta confiabilidade e são fabricados em instalações de última geração usando processos avançados de fabricação.
Com foco na inovação e satisfação do cliente, a Vishay Siliconix está comprometida em fornecer a seus clientes as melhores soluções de gerenciamento de energia para atender às suas necessidades.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.




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