VX30170C Folha de dados(PDF) - Vishay Siliconix

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VX30170C Folha de dados (PDF) - Vishay Siliconix

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Nome de Peças	VX30170C

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

Página de início	http://www.vishay.com

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Descrição Electrónicos

Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5.0 A

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

Página de início	http://www.vishay.com

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Descrição Electrónicos	Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5.0 A

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VX30170C Detalhes do produto

• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Solder bath temperature 275 °C maximum,
10 s per JESD 22-B106
• AEC-Q101 qualified available:
- Automotive ordering code: base P/NHM3

Nº de peça semelhante - VX30170C

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Vishay Siliconix	VX30202C	126Kb / 5P	Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5.0 A 26-Oct-2020
	VX30202C-M3/P	126Kb / 5P	Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5.0 A 26-Oct-2020
	VX30202CHM3/P	126Kb / 5P	Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5.0 A 26-Oct-2020
Kontron	VX3052	1Mb / 4P	3U VPX Dual Core Intel D-1508 2.2 GHz Board Computer
Kontron	VX3052SA280150000	1Mb / 4P	3U VPX Dual Core Intel D-1508 2.2 GHz Board Computer

Descrição semelhante - VX30170C

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Vishay Siliconix	V20100R	151Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 19-May-08
	V20120SG	166Kb / 5P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 19-May-08
	VF20100R	83Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 17-Aug-15
	VB20120SG-M3	88Kb / 4P	High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 14-May-13
	VT30L60C-E3	134Kb / 5P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A 15-Dec-16
	VT4060C-E3	134Kb / 5P	Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.32 V at IF = 5.0 A 15-Dec-16
	VB20120C-M3	89Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 14-May-13
	VB20150C-M3	89Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.59 V at IF = 5.0 A 30-Aug-13
	VB30150C-M3	87Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 5.0 A 22-May-13

Sobre a Vishay Siliconix

Vishay Siliconix é uma subsidiária da Vishay Intertechnology, fabricante global de componentes eletrônicos passivos.
Vishay Siliconix é especializado no design, fabricação e marketing de MOSFETS, IGBTS e outros semicondutores de energia.
A empresa foi fundada em 1962 e está sediada em Santa Clara, Califórnia.
O Vishay Siliconix fornece soluções de energia para uma variedade de aplicações, incluindo sistemas de energia renovável, equipamentos industriais, computação e telecomunicações e eletrônicos automotivos.
Os produtos da empresa são projetados para alta eficiência, baixo consumo de energia e alta confiabilidade e são fabricados em instalações de última geração usando processos avançados de fabricação.
Com foco na inovação e satisfação do cliente, a Vishay Siliconix está comprometida em fornecer a seus clientes as melhores soluções de gerenciamento de energia para atender às suas necessidades.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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