VT10202C Folha de dados(PDF) - Vishay Siliconix

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VT10202C Folha de dados (PDF) - Vishay Siliconix

VT10202C Datasheet PDF - Vishay Siliconix


Nome de Peças	VT10202C

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

Página de início	http://www.vishay.com

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Descrição Electrónicos

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

Página de início	http://www.vishay.com

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Descrição Electrónicos	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A

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VT10202C Detalhes do produto

• Trench MOS Schottky technology Gen 2
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum
peak of 245 °C (for TO-263AB package)
• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,
per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-220AB, and
TO-262AA package)

Nº de peça semelhante - VT10202C

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Vishay Siliconix	VT10202C	159Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 12-Jan-17
	VT10202C-M3	149Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Apr-14
	VT10202C-M3	138Kb / 5P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 24-Apr-14
	VT10202C	159Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 12-Jan-17

Descrição semelhante - VT10202C

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Vishay Siliconix	VT5200	148Kb / 5P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A 14-Aug-13
	V30100PW-M3	87Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 8 A 20-Dec-13
	VT1060C-E3	156Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5 A 14-Dec-16
	VT1060C-M3	133Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5 A 15-Dec-16
	VT5200-E3	146Kb / 6P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A 12-Dec-16
	VT10200C-M3	158Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A 01-Dec-16
	V20M120M-E3	98Kb / 4P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 5 A 11-May-16
	VB10170C-E3	93Kb / 4P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 2.5 A 03-Jan-17
	VBT1045C-E3	90Kb / 4P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 2.5 A 09-Sep-13
	VBT1060C-M3	89Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 2.5 A 14-May-13

Sobre a Vishay Siliconix

Vishay Siliconix é uma subsidiária da Vishay Intertechnology, fabricante global de componentes eletrônicos passivos.
Vishay Siliconix é especializado no design, fabricação e marketing de MOSFETS, IGBTS e outros semicondutores de energia.
A empresa foi fundada em 1962 e está sediada em Santa Clara, Califórnia.
O Vishay Siliconix fornece soluções de energia para uma variedade de aplicações, incluindo sistemas de energia renovável, equipamentos industriais, computação e telecomunicações e eletrônicos automotivos.
Os produtos da empresa são projetados para alta eficiência, baixo consumo de energia e alta confiabilidade e são fabricados em instalações de última geração usando processos avançados de fabricação.
Com foco na inovação e satisfação do cliente, a Vishay Siliconix está comprometida em fornecer a seus clientes as melhores soluções de gerenciamento de energia para atender às suas necessidades.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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