VFT1045 Folha de dados(PDF) - Vishay Siliconix

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VFT1045 Folha de dados (PDF) - Vishay Siliconix

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Low Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Descrição Electrónicos	Low Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A

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VFT1045 Detalhes do produto

• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Solder bath temperature 275 °C max. 10 s,
per JESD 22-B106

Nº de peça semelhante - VFT1045

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Vishay Siliconix	VFT1045BP	84Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection 23-Feb-12
Vishay Siliconix	VFT1045BP	137Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection 19-Mar-18
Inchange Semiconductor ...	VFT1045BP	275Kb / 2P	Schottky Rectifier
Vishay Siliconix	VFT1045BP-M3/4W	84Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection 23-Feb-12
Vishay Siliconix	VFT1045BP	74Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection 23-Oct-13

Descrição semelhante - VFT1045

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Vishay Siliconix	V60120C	142Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A 19-May-08
	VBT1080S-M3	90Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 14-May-13
	VBT2080S-M3	95Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.46 V at IF = 5 A 14-May-13
	VBT3080S-M3	88Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 14-May-13
	VFT3080S-M3	89Kb / 4P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 11-Sep-13
	VT760-E3	141Kb / 6P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A 15-Dec-16
	VT3080S-E3	157Kb / 6P	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.39 V at IF = 5 A 14-Dec-16
	VE2045C-E3	122Kb / 4P	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A 20-Dec-13
	VF60120C	77Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A 07-Feb-11
	V35PWM10	123Kb / 5P	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.41 V at IF = 5 A 01-Jun-17

Sobre a Vishay Siliconix

Vishay Siliconix é uma subsidiária da Vishay Intertechnology, fabricante global de componentes eletrônicos passivos.
Vishay Siliconix é especializado no design, fabricação e marketing de MOSFETS, IGBTS e outros semicondutores de energia.
A empresa foi fundada em 1962 e está sediada em Santa Clara, Califórnia.
O Vishay Siliconix fornece soluções de energia para uma variedade de aplicações, incluindo sistemas de energia renovável, equipamentos industriais, computação e telecomunicações e eletrônicos automotivos.
Os produtos da empresa são projetados para alta eficiência, baixo consumo de energia e alta confiabilidade e são fabricados em instalações de última geração usando processos avançados de fabricação.
Com foco na inovação e satisfação do cliente, a Vishay Siliconix está comprometida em fornecer a seus clientes as melhores soluções de gerenciamento de energia para atender às suas necessidades.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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