V41M103C-M3/P Folha de dados(PDF) - Vishay Siliconix

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V41M103C-M3/P Folha de dados (PDF) - Vishay Siliconix

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Fabricante Electrônico	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Descrição Electrónicos

Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.40 V at IF = 5 A

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V41M103C-M3/P Detalhes do produto

• Trench MOS Schottky technology
• Low forward voltage drop, low power losses
• High efficiency operation
• Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s,
per JESD 22-B106

Nº de peça semelhante - V41M103C-M3/P

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
YAMAHA CORPORATION	V4104200	13Mb / 42P	STEREO AMPLIFIER SERVICE MANUAL
Seme LAB	V410A	15Kb / 1P	Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package
Vishay Siliconix	V41103C	147Kb / 5P	Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A 22-Dec-2020
Vishay Siliconix	V41103C-M3/P	147Kb / 5P	Dual High Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.36 V at IF = 5 A 22-Dec-2020
COSMO Electronics Corp...	V414	490Kb / 3P	HIG VOLTAGE, PHOTO MOS RELAY

Descrição semelhante - V41M103C-M3/P

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Vishay Siliconix	V30200C	158Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.526 V at IF = 5 A 31-Jul-08
	V40100G	167Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.42 V at IF = 5 A 19-May-08
	V40100PG	106Kb / 5P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.420 V at IF = 5 A 26-May-08
	V50100P	103Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.375 V at IF = 5 A 26-May-08
	V60200PG	104Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.52 V at IF = 5 A 14-Oct-08
	VF20100R	83Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A 17-Aug-15
	VT60L45PW	96Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.24 V at IF = 5 A 08-Jan-14
	VT2060C-E3	158Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.40 V at IF = 5 A 15-Dec-16
	VT3060G-E3	156Kb / 6P	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.40 V at IF = 5 A 15-Dec-16
	VBT2060C-M3	517Kb / 4P	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.40 V at IF = 5 A 21-May-13

Sobre a Vishay Siliconix

Vishay Siliconix é uma subsidiária da Vishay Intertechnology, fabricante global de componentes eletrônicos passivos.
Vishay Siliconix é especializado no design, fabricação e marketing de MOSFETS, IGBTS e outros semicondutores de energia.
A empresa foi fundada em 1962 e está sediada em Santa Clara, Califórnia.
O Vishay Siliconix fornece soluções de energia para uma variedade de aplicações, incluindo sistemas de energia renovável, equipamentos industriais, computação e telecomunicações e eletrônicos automotivos.
Os produtos da empresa são projetados para alta eficiência, baixo consumo de energia e alta confiabilidade e são fabricados em instalações de última geração usando processos avançados de fabricação.
Com foco na inovação e satisfação do cliente, a Vishay Siliconix está comprometida em fornecer a seus clientes as melhores soluções de gerenciamento de energia para atender às suas necessidades.

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