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STPSC10065DY Folha de dados (PDF) - STMicroelectronics
STPSC10065DY Datasheet PDF - STMicroelectronics
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Fabricante Electrônico  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Descrição Electrónicos Automotive 650 V power Schottky silicon carbide diode

STPSC10065DY Datasheet (PDF)

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STPSC10065DY Detalhes do produto

Description
The SiC diode is an ultra high performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode will boost performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures good robustness during transient phases.




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Sobre a STMicroelectronics

A STMicroelectronics é um fabricante multinacional de eletrônicos e semicondutores com sede em Genebra, Suíça.

A empresa oferece uma ampla gama de produtos, incluindo microcontroladores, sensores, amplificadores de energia e circuitos integrados para várias aplicações nos mercados automotivo, industrial e de consumo.

Fundada em 1987, a STMicroelectronics possui operações em mais de 100 países e é uma das maiores empresas de semicondutores do mundo.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.




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