SGP10N60 Folha de dados(PDF) - Infineon Technologies AG

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SGP10N60 Folha de dados (PDF) - Infineon Technologies AG

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HighSpeed 2-Technology

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SGP10N60 Detalhes do produto

• Designed for:
- TV – Horizontal Line Deflection
• 2nd generation HighSpeed-Technology
for 1200V applications offers:
- loss reduction in resonant circuits
- temperature stable behavior
- parallel switching capability
- tight parameter distribution
- Eoff optimized for IC =3A
- simple Gate-Control
• Qualified according to JEDEC1 for target applications
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
• Complete product spectrum and PSpice Models : http://www.infineon.com/igbt/

Nº de peça semelhante - SGP10N60

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Infineon Technologies A...	SGP10N60	506Kb / 12P	Fast S-IGBT in NPT-technology Mar-00
	SGP10N60A	401Kb / 12P	Fast IGBT in NPT-technology Jul-02
	SGP10N60A	353Kb / 12P	Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation Rev. 2.5 Nov 09
Inchange Semiconductor ...	SGP10N60A	333Kb / 3P	Field-Stop IGBT
Infineon Technologies A...	SGP10N60A	353Kb / 12P	Fast IGBT in NPT-technology 75% lower Eoff compared to previous generation Rev. 2.5 Nov 09

Descrição semelhante - SGP10N60

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Infineon Technologies A...	IGW03N120H2	397Kb / 13P	HighSpeed 2-Technology Rev. 2, Mar-04
	IGB01N120H2	390Kb / 13P	HighSpeed 2-Technology Rev. 2, Mar-04
	IKP03N120H2	431Kb / 15P	HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode Rev. 2, Mar-04
	IKA03N120H2	335Kb / 14P	HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode Mar-04, Rev. 2
	IKB01N120H2	385Kb / 14P	HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode Rev. 2.3 May 06
	IGP01N120H2	912Kb / 13P	HighSpeed 2-Technology Rev. 2.4 Sept. 07
	IKP03N120H2	381Kb / 15P	HighSpeed 2-Technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode Rev. 2.5 Sept. 08
	IGP03N120H2	346Kb / 13P	HighSpeed 2-Technology Rev. 2.6 Febr. 08
	IGB01N120H2	1Mb / 12P	HighSpeed 2-Technology Rev. 2.4 Oct. 07
TE Connectivity Ltd	114-94706	1Mb / 26P	DT Highspeed DT Highspeed 07 MAR 2023 Rev. B

Sobre a Infineon Technologies AG

A Infineon Technologies é um fabricante global de semicondutores globais, especializado em fornecer soluções de gerenciamento de energia, segurança e controle para vários setores, como sistemas automotivos, industriais e de comunicação.
A empresa foi fundada em 1999 e está sediada em Neubiberg, Alemanha.
A Infineon oferece uma ampla gama de produtos, incluindo microcontroladores, semicondutores de potência, sensores e outros circuitos integrados.
A empresa tem uma forte presença no mercado global, com operações e instalações em vários países do mundo.

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