BLF248 Folha de dados(PDF)

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VHF push-pull power MOS transistor

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BLF248 Detalhes do produto

DESCRIPTION
Dual push-pull silicon N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor, designed for large signal amplifier applications in the VHF frequency range.
The transistor is encapsulated in a 4-lead SOT262 A1 balanced flange package, with two ceramic caps. The mounting flange provides the common source connection for the transistors.

FEATURES
• High power gain
• Easy power control
• Good thermal stability
• Gold metallization ensures excellent reliability.

Nº de peça semelhante - BLF248

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
NXP Semiconductors	BLF248	105Kb / 13P	VHF push-pull power MOS transistor September 1992
Advanced Semiconductor	BLF248	22Kb / 1P	VHF POWER MOSFET REV. A
NXP Semiconductors	BLF248	9Mb / 130P	RF Manual 16th edition June 2012
Quanzhou Jinmei Electro...	BLF248	89Kb / 13P	VHF push-pull power MOS transistor
Quanzhou Jinmei Electro...	BLF248_2015	89Kb / 13P	VHF push-pull power MOS transistor

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	BLF368	132Kb / 16P	VHF push-pull power MOS transistor 1998 Jul 29
	BLF378	134Kb / 16P	VHF push-pull power MOS transistor 1998 Jul 29
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	BLF248_2015	89Kb / 13P	VHF push-pull power MOS transistor
	BLF368_2015	112Kb / 16P	VHF push-pull power MOS transistor
	BLF245B	103Kb / 16P	VHF push-pull power MOS transistor
	BLF246B	99Kb / 16P	VHF push-pull power MOS transistor
	BLF368	112Kb / 16P	VHF push-pull power MOS transistor

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