IXFH52N30Q Folha de dados(PDF) - IXYS Corporation

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IXFH52N30Q Folha de dados (PDF) - IXYS Corporation

IXFH52N30Q Datasheet PDF - IXYS Corporation


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Fabricante Electrônico	IXYS [IXYS Corporation]

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Descrição Electrónicos

N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacitances

IXFH52N30Q Datasheet (PDF)

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Fabricante Electrônico	IXYS [IXYS Corporation]

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Descrição Electrónicos	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low t Low Gate Charge and Capacitances

IXFH52N30Q Folha de dados (HTML) - IXYS Corporation

IXFH52N30Q Datasheet HTML 1Page - IXYS Corporation

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IXFH52N30Q Detalhes do produto

N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr
Low Gate Charge and Capacitances

Features
• Low gate charge
• International standard packages
• EpoxymeetUL94V-0, flammability classification
• Low RDS (on) HDMOS™ process
• Rugged polysilicon gate cell structure
• Avalanche energy and current rated
• Fast intrinsic Rectifier

Advantages
• Easy to mount
• Space savings
• High power density

Nº de peça semelhante - IXFH52N30Q

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
Inchange Semiconductor ...	IXFH52N30Q	372Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

Descrição semelhante - IXFH52N30Q

Fabricante Electrônico	Nome de Peças	Folha de dados	Descrição Electrónicos
IXYS Corporation	IXFH14N100Q2	564Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg Low Rg, High dv/dt, Low trr
	IXFK38N80Q2	605Kb / 5P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R
	IXFR12N100Q	33Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dV/dt Low Gate Charge and Capacitances
	IXFN38N100Q2	565Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr
	IXFN100N25	78Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low
Infineon Technologies A...	SPP08P06P	843Kb / 10P	P-Channel Enhancement mode Avalanche rated dv/dt rated Rev 1.5 2009-04-14
IXYS Corporation	IXTH28N50Q	177Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
	IXTQ24N55Q	517Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
	IXFH36N55Q	171Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt
	IXFH80N08	93Kb / 2P	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt

Sobre a IXYS Corporation

A IXYS Corporation é uma empresa de tecnologia especializada no design, fabricação e venda de semicondutores de energia e circuitos integrados (ICS). A empresa foi fundada em 1983 e está sediada em Milpitas, Califórnia. A IXYS tem uma presença global, com operações e clientes em mais de 60 países em todo o mundo.

O IXYS fornece uma ampla gama de produtos e soluções, incluindo moscas de potência, transistores bipolares de energia, tiristores, diodos e ICs para gestão de energia e aplicações de controle. Os produtos da empresa são usados em uma variedade de aplicações, incluindo energia renovável, industrial, automotiva e eletrônica de consumo.

A IXYS é conhecida por sua experiência em tecnologia de semicondutores de energia e sua capacidade de fornecer soluções de alto desempenho e custo-benefício para seus clientes. A empresa está comprometida com a inovação e pesquisa e desenvolvimento e está ativamente envolvida no desenvolvimento de novas tecnologias e soluções para o mercado de semicondutores de energia. A IXYS é um líder reconhecido no mercado de semicondutores de energia e continua a fornecer produtos e serviços de alta qualidade aos seus clientes.

*Esta informação é apenas para fins informativos gerais, não seremos responsáveis por qualquer perda ou dano causado pelas informações acima.

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